1) metamorphic works
嬗变作品
1.
This paper is divided into four chapters, which study the metamorphic worksof SANYAN & ERPAI.
本文共分四章对《三言二拍》嬗变作品进行考察研究。
4) architectural creation transmutations
建筑创作嬗变
1.
Starting from the introduction of design paradigms,this thesis focuses on the analysis about the relationships among the computer technologies,the contemporary design paradigms transforming and the architectural creation transmutations.
从对设计范式的介绍出发,探讨了计算机技术、当代设计范式转换与建筑创作嬗变三者间的关系问题,同时亦对计算机技术在建筑创作范式转换中存在的问题加以辨析与思考。
5) evolution
[英][,i:və'lu:ʃn] [美]['ɛvə'luʃən]
嬗变
1.
Evolution of the Social Customs in Jiangsu after the Chinese Revolution of 1911 - 1912;
革命后江苏社会风俗的嬗变
2.
Traditional Development and Evolution to the Poetic Styles of Yong Shi Poem——Discussion on Zuo Si s Eight Pieces of Yong Shi Poems;
“咏史”诗体传统的开拓与嬗变——论左思《咏史诗》八首
3.
On the evolution of the content of Taoist stories in the Six Dynasties;
论汉魏六朝道教小说内容的嬗变
6) Transmutation
[英][,trænsmju:'teiʃən] [美][,trænsmju'teʃən]
嬗变
1.
Study of Transmutation of Minor Actinides in Accelerator Driven Sub critical Fast Reactor;
次锕系元素在加速器驱动的次临界快堆中嬗变的研究
2.
Study on MAs Transmutation of Accelerator-Driven System Sodium-Cooled Fast Reactor Loaded with Metallic Fuel;
加速器驱动钠冷金属燃料快堆次锕系核素嬗变特性研究
3.
Neutronic optimal analysis for the transmutation of long-lived fission products in the blanket for the fusion-driven subcritical system;
长寿命裂变产物在聚变驱动次临界堆包层中嬗变的中子学优化分析
补充资料：半导体核嬗变掺杂
用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料，通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素，达到半导体材料的掺杂目的。目前，只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克－霍罗维茨于1951年提出的。1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂，首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。目前中子掺杂硅单晶已成为工业产品，产量逐年增加。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1（单位：厘米-3）可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度（厘米-3）;σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率（厘米-2·秒-1）；t为照射时间（秒）。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷，使硅的物理性能发生显著变化。研究表明，为恢复硅的电学性能，需经800～900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性，对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此，照射后的样品需经一定时间的辐射冷却，方可作为非放射性材料操作。
目前，对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1（单位：厘米-3）可用公式
计算。式中N2为硅核30Si的数密度（厘米-3）;σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率（厘米-2·秒-1）；t为照射时间（秒）。
核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷，使硅的物理性能发生显著变化。研究表明，为恢复硅的电学性能，需经800～900℃的退火处理。
半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性，对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此，照射后的样品需经一定时间的辐射冷却，方可作为非放射性材料操作。
目前，对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条