ScratchPad SRAM,Scratchpad SRAM,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Scratchpad SRAM

ScratchPad SRAM

Scratchpad SRAM is a kind of Scratchpad memory equipment and it has the characteristic of high reading-writing speed and low power consumption.

本文针对ScratchPad存储器中的ScratchPad SRAM进行嵌入式操作系统进程调度优化设计。

2) Scratchpad

便签式存储器

3) scratchpad ,scratchpad;scratchpad

便笺式暂时存储

4) SRAM

SRAM

A design of SRAM build-in self-test circuits based on LFSR and MARCH C+;

一种基于LFSR与MARCH C+算法的SRAM内建自测电路设计

The Application of Serial SRAM Chip X24C45 in Automatic Punching Machine;

串行SRAM-X24C45芯片在针板自动冲床系统中的应用

The Application of Serial SRAM Chip X24C45 in Punching Machine at High Speed;

串行SRAM-X24C45芯片在高速冲槽机系统中应用

5) SRAM

静态存储器

Dynamic testing system of SRAM under the network control;

网络控制下静态存储器的动态检测系统

A study on Bit-Line Circuit for Partially Depleted SOI CMOS SRAM s;

部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究

Advances in the manufacture of SRAMs over the years have resulted in enormous gains in speed, array size, cell density, and reduction in power consumption.

随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。

6) SRAM

静态随机存取存储器

The Single Event Effect(SEE) simulation experiment was carried out on proton accelerators for Static Random Access Memories(SRAMs).

应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究。

The SEU heavy ion LET thresholds were between 4～8MeV·cm 2/mg and the saturation SEU cross sections were of the order of 10 -7 cm 2·bit -1 , for IDT and HM series Static Random Access Memories (SRAMs).

应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。

Expermental methods were emphatically described for measuring the proton Single Event Upset (SEU) cross section in Static Random Access Memories (SRAMs).

描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。

参考词条

SRAM SRAM SRAM SRAM scratchpad memory fast scratchpad memory scratchpad area (SPA) IDT6116 SRAM SRAM controller ZBT SRAM SR SRAM multi-SRAM DDRⅡ SRAM LPSR SRAM 否定性法律后果

补充资料：Agm-69近程攻击导弹(sram)

承包商：波音宇航公司(boeing aerospace company)

使用国家: 美国

研制时间：1963年11月23日项目启动，1969年7月首次试射，1971年1月投入量产，1972年8月服役。

长： 4.27米(带尾整流板4.83米)

体直径： 45厘米

翼半径： 38厘米(翼尖至弹体中心线)

重量： 1010千克

弹头： w-69热核弹头(200 kt)

速度：m3

制导：惯性制导

推进：洛克希德推进公司(lockheed propulsion co.) sr75-lp-1双脉冲固体燃料火箭

射程： 35公里（低空发射）/160公里（高空发射）

装备机型：b-52、fb-111、b-1b

生产数量：大约1500枚

库存数量：1282枚

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) Scratchpad SRAM ScratchPad SRAM 1. Scratchpad SRAM is a kind of Scratchpad memory equipment and it has the characteristic of high reading-writing speed and low power consumption. 本文针对ScratchPad存储器中的ScratchPad SRAM进行嵌入式操作系统进程调度优化设计。 2) Scratchpad 便签式存储器 3) scratchpad ,scratchpad;scratchpad 便笺式暂时存储 4) SRAM SRAM 1. A design of SRAM build-in self-test circuits based on LFSR and MARCH C+; 一种基于LFSR与MARCH C+算法的SRAM内建自测电路设计 2. The Application of Serial SRAM Chip X24C45 in Automatic Punching Machine; 串行SRAM-X24C45芯片在针板自动冲床系统中的应用 3. The Application of Serial SRAM Chip X24C45 in Punching Machine at High Speed; 串行SRAM-X24C45芯片在高速冲槽机系统中应用 5) SRAM 静态存储器 1. Dynamic testing system of SRAM under the network control; 网络控制下静态存储器的动态检测系统 2. A study on Bit-Line Circuit for Partially Depleted SOI CMOS SRAM s; 部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究 3. Advances in the manufacture of SRAMs over the years have resulted in enormous gains in speed, array size, cell density, and reduction in power consumption. 随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。 6) SRAM 静态随机存取存储器 1. The Single Event Effect(SEE) simulation experiment was carried out on proton accelerators for Static Random Access Memories(SRAMs). 应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究。 2. The SEU heavy ion LET thresholds were between 4～8MeV·cm 2/mg and the saturation SEU cross sections were of the order of 10 -7 cm 2·bit -1 , for IDT and HM series Static Random Access Memories (SRAMs). 应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。 3. Expermental methods were emphatically described for measuring the proton Single Event Upset (SEU) cross section in Static Random Access Memories (SRAMs). 描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。参考词条 SRAM SRAM SRAM SRAM scratchpad memory fast scratchpad memory scratchpad area (SPA) IDT6116 SRAM SRAM controller ZBT SRAM SR SRAM multi-SRAM DDRⅡ SRAM LPSR SRAM 否定性法律后果补充资料：Agm-69近程攻击导弹(sram) 承包商：波音宇航公司(boeing aerospace company) 使用国家: 美国研制时间：1963年11月23日项目启动，1969年7月首次试射，1971年1月投入量产，1972年8月服役。长： 4.27米(带尾整流板4.83米) 体直径： 45厘米翼半径： 38厘米(翼尖至弹体中心线) 重量： 1010千克弹头： w-69热核弹头(200 kt) 速度：m3 制导：惯性制导推进：洛克希德推进公司(lockheed propulsion co.) sr75-lp-1双脉冲固体燃料火箭射程： 35公里（低空发射）/160公里（高空发射）装备机型：b-52、fb-111、b-1b 生产数量：大约1500枚库存数量：1282枚说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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