1) nonlinear mapping and generalization
非线性映射泛化
2) nonlinear mapping
非线性映射
1.
Feature extraction based on nonlinear mapping;
基于非线性映射的特征提取技术研究
2.
Algorithm for Sammon s nonlinear mapping based on fuzzy kernel learning vector quantization;
基于模糊核学习矢量量化的Sammon非线性映射算法
3.
In the paper,the algorithm of a nonlinear mapping is applied to study the gene structure of the leading and lagging strands in the genome of borrelia burgdorferi.
本文采用非线性映射的方法分析伯氏疏螺旋体前导链和后随链上的基因结构,发现基因分布存在明显的差异,同义密码子的使用亦具有明显的倾向性。
3) Non-linear mapping
非线性映射
1.
It adopts the non-linear mapping and also it analyzes the general model of the information hiding.
本文研究了经典的最低有效位方法,采用非线性映射方法对其进行改进,并对信息隐藏一般模型进行分析,提出采用公钥密码的思想来减少隐藏信息的数据量,可以提高信息隐藏的安全性与鲁棒性。
4) non-linear map
非线性映射算法
5) nonlinear mapping relation
非线性映射关系
1.
In this article,nonlinear mapping relation between input of 13 variables of l_p andσ_(yt)/σ_(yp) etc.
针对弹体对混凝土材料侵彻深度问题,通过量纲分析和神经网络理论,建立了弹体侵彻深度h网络输出量与弹体长度l_p、弹的长径比l_p/d、弹体形状系数ψ、弹体与混凝土的比强度σ_(yt)/σ_(yp)、弹体与混凝土的密度比ρ_p/ρ_t等13个网络输入量之间的非线性映射关系。
6) nonlinear mapping method
非线性映射方法
1.
A new method of evaluating structural damping (nonlinear mapping method) and the calculating principle are presented.
提出用非线性映射方法估计结构阻尼并详细阐述计算原理 。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条