2) negative-semi-variance model
负-正半方差模型
3) load variance
负荷方差
1.
Research on relationship of load variance characteristics and electric distribution line energy loss;
负荷方差特性和配电线路中电能损耗关系研究
4) semivariance
半方差
1.
A Risk Measure Model for Investment Project Based on Semivariance;
基于半方差的投资项目风险度量模型研究
2.
Through comparative and empirical analysis of the portfolio management based on the mean-variance model (the u-V Model) and (author s) semivariance model (the E-SV Model), this paper clears up obscurity of the u-V Model and the definition of risk and finally sheds light on the application significance of the E-SV Model in portfolio management analysis.
通过对马柯维茨的均值—方差模型(theμ-V)和笔者的半方差模型(theE-SV)在组合投资中进行对比实证分析,文章廓清了笼罩在均值—方差模型及其风险定义上的迷雾,使半方差模型在组合投资中的突破性指导价值进一步明晰化。
3.
Optimal hedge ratio is estimated under different time scales by taking minimum semivariance as hedge target.
本文运用极大交迭离散小波变换对新加坡新华富时A50股指期货合约原始数据进行逐尺度分解,在不同时间尺度下以半方差最小化为套期保值目标对最优套期保值率进行估计,并与最小小波方差套期保值率进行比较。
5) semivariogram
半方差
1.
In order to make clear the spatial and temporal variation of SO_2 in China,the average annual concentration of SO_2 in key cities of 1990,1995 and 2000 was analyzed based on the geostatistics that mainly include semivariogram and kriging.
为反映我国SO2污染的时空演变规律,通过半方差分析和克里格空间内插法,对1990年,1995年和2000年主要城市的SO2年日均浓度进行了空间分析,发现SO2浓度空间分布的结构性在不断减弱,随机性有所增强,并且在总体改善的同时,污染中心有向西部转移的动向。
2.
nigra plantation with different densities in the Farm of Xuejiazhuang Village in Datong, Shanxi, China, was estimated by applying the semivariogram theory of spatial statistics.
以高空间分辨率遥感影像QuickBird的全色波段为数据源,应用空间统计学半方差理论,对山西大同薛家庄林场不同林分密度的小黑杨人工纯林冠幅尺寸进行估计。
3.
Using the panchromatic wave band of high spatial resolution remote sensing image-QuickBird as the data source, the crown of plantation White Bark Pine (Pinus bungeana) with relative high crown closure was accurately estimated by applying the semivariogram theory of spatial statistics.
以高空间分辨率遥感影像QuickBird的全色波段为数据源,应用空间统计学半方差理论,对郁闭度较高的人工白皮松林冠幅尺寸进行较为准确地估计。
6) semi-variance
半方差
1.
Weighted semi-variance risk measuring model for portfolio investment;
加权半方差风险度量模型
2.
The results show: i) the mean semi-variance of moso bamboo population is 0.
为了增加对竹林生态系统认识,应用地统计学中的半方差、半方差理论模型模拟、分形维数及其与竹林结构部分因子相关分析,研究毛竹种群空间格局特征。
3.
On the contrary, N has a smaller spatial variability, soil nutrient had semi-variance structure, a.
结果表明,土壤养分性质均存在着空间变异性,速效磷、速效钾和有机质变异相对较大,碱解氮变异亦小;土壤养分性质均存在半方差结构,分别拟合Exponential、Gaussian、Pentaspherical、Gaussian模型;碱解氮、速效磷、速效钾和有机质均显示中等的空间相关性。
补充资料：半导体负阻发光器件
用发光材料制造的具有正向电压负阻型的结发光二极管，其正向υ-I特性呈S形(图1)。当正向电压达到导通电压υS时，二极管由高压关态（高阻态）经过负阻过程达到低压通态(低阻态)。描述正向电学导通特性的主要参数是:导通电压υS;导通电流IS;维持电压υH；维持电流IH；导通时间τon；关断时间τoff。描述发光特性的参数与一般发光器件相同。常用的结构有PNPN型及 PIN型。所用材料为GaAs、GaInAsP、GaP、GaAsP等。PIN型器件的电性能和发光性能不佳。PNPN型负阻发光器件的电导通原理，可用等效双晶体管模型的电学正反馈作用来描述。用某种方式使二极管导通（电导通或光导通）后，由于少数载流子注入到发光有源区，产生辐射复合发光（包括受激发射）。
一个良好的PNPN负阻发光器应满足两方面的要求。①电学上的完全导通:即在正向通态时,由于中间PN结两侧载流子存储作用使该结变成正偏置，这时整个二极管压降应为一个简单的PN结大注入时的结压降，例如GaAs应为1.5伏左右。这时,器件具有最大的通态电流密度和最小的结功耗，称为电学完全导通。②良好的发光特性：除了材料的质量要求外，在结构上应使发光区有良好的载流子限制和光限制，使之具有高的发光效率。采用适宜的多层异质结构，可能使这些要求得到兼顾。
对器件结构的这两项要求，可用双晶体管模型来分析（图2）。
在整个负阻区和通态区,完全导通的条件是：
α1+α2＞1
式中 α1和α2是第一晶体管和第二晶体管的共基极直流短路电流放大系数，它们分别与各自的发射结注射效率γ、基区输运系数β、收集结收集效率α*有关：α1＝γ1·β1·α;α2＝γ2·β2·α（在接近υS电压下还须考虑雪崩倍增作用）。通常选取第一晶体管的基区作为发光区。为使从发射结注入到有源区的少数载流子的限制作用完全有效，则β1应为零，即第一晶体管发射结注入基区的载流子不能达到收集区，这时，在中间PN结两侧的载流子存储不足以构成电学正反馈作用，只能类同于单个晶体管，不产生负阻或由于雪崩倍增作用产生二极管端压降很高的负阻通态。因此，为使完全电导通特性和发光特性能较好地统一起来, 应尽可能增大γ1、γ2、β2,不能使β1完全等于零但接近于零，从而使α2尽可能接近于1,α1接近于零但不等于零。例如,对于GaAlAs/GaAs异质结对，能较好满足上述要求的器件结构为N-Ga1-xAlxAs/P-GaAs/P-Ga1-yAlyAs/ P-GaAs/N-GaAs/P-Ga1-zAlzAS(x≥0.2,y≤0.2,z≈0.1)。这种结构的激光器,电导通性能良好，激射特性也很接近于一般双异质PN结激光器。
器件用作开关激光器时，激射阈电流密度应小于器件本身提供的通态最大电流密度。器件导通可采用电触发、光触发等方式。适当选择电路负载，在光触发时器件具有光学放大、双稳及开关作用。这类器件一般选用GaAlAs/GaAs，GaInAsP/InP等制造。
这种器件电路简单，调制容易，可借以实现多功能，适用于通信、自动控制、发光显示等方面。
一个良好的PNPN负阻发光器应满足两方面的要求。①电学上的完全导通:即在正向通态时,由于中间PN结两侧载流子存储作用使该结变成正偏置，这时整个二极管压降应为一个简单的PN结大注入时的结压降，例如GaAs应为1.5伏左右。这时,器件具有最大的通态电流密度和最小的结功耗，称为电学完全导通。②良好的发光特性：除了材料的质量要求外，在结构上应使发光区有良好的载流子限制和光限制，使之具有高的发光效率。采用适宜的多层异质结构，可能使这些要求得到兼顾。
对器件结构的这两项要求，可用双晶体管模型来分析（图2）。
在整个负阻区和通态区,完全导通的条件是：
式中 α1和α2是第一晶体管和第二晶体管的共基极直流短路电流放大系数，它们分别与各自的发射结注射效率γ、基区输运系数β、收集结收集效率α*有关：α1＝γ1·β1·α;α2＝γ2·β2·α（在接近υS电压下还须考虑雪崩倍增作用）。通常选取第一晶体管的基区作为发光区。为使从发射结注入到有源区的少数载流子的限制作用完全有效，则β1应为零，即第一晶体管发射结注入基区的载流子不能达到收集区，这时，在中间PN结两侧的载流子存储不足以构成电学正反馈作用，只能类同于单个晶体管，不产生负阻或由于雪崩倍增作用产生二极管端压降很高的负阻通态。因此，为使完全电导通特性和发光特性能较好地统一起来, 应尽可能增大γ1、γ2、β2,不能使β1完全等于零但接近于零，从而使α2尽可能接近于1,α1接近于零但不等于零。例如,对于GaAlAs/GaAs异质结对，能较好满足上述要求的器件结构为N-Ga1-xAlxAs/P-GaAs/P-Ga1-yAlyAs/ P-GaAs/N-GaAs/P-Ga1-zAlzAS(x≥0.2,y≤0.2,z≈0.1)。这种结构的激光器,电导通性能良好，激射特性也很接近于一般双异质PN结激光器。
器件用作开关激光器时，激射阈电流密度应小于器件本身提供的通态最大电流密度。器件导通可采用电触发、光触发等方式。适当选择电路负载，在光触发时器件具有光学放大、双稳及开关作用。这类器件一般选用GaAlAs/GaAs，GaInAsP/InP等制造。
这种器件电路简单，调制容易，可借以实现多功能，适用于通信、自动控制、发光显示等方面。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条