说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 瞬态图像采集系统
1)  Instantaneous digital image capturing system
瞬态图像采集系统
2)  transient image capturing system
瞬态图像采集
3)  CCD image gathering system
CCD图像采集系统
4)  image acquisition system
图像采集系统
1.
Design of image acquisition system in automobile anti-collision system and its realization;
汽车防撞系统中视频图像采集系统的设计实现
2.
Measurement and evaluation of the characteristic parameters of an image acquisition system;
图像采集系统特性参数的测试与评价
3.
Design of the driving circuit of linear CCD in an image acquisition system
图像采集系统的线性CCD驱动电路设计
5)  CMOS image acquisition system
CMOS图像采集系统
6)  image collection system
图像采集系统
1.
Design of the Image Collection System in Reverse Engineering;
反求工程图像采集系统的设计
2.
An image collection system is designed with a lens,a neutral filter,an interference filter and a CCD camera to obtain the images of plasma arc with and without external transverse alternating magnetic field.
借助光学透镜、中性密度滤光片、窄带干涉滤光片和CCD构建等离子体弧图像采集系统,并获得外加横向交变磁场作用前后的等离子体弧图像。
补充资料:电力系统特快速瞬态过电压


电力系统特快速瞬态过电压
very fast transient over voltage in electric power system,VFTO

  后才能熄灭,结束一次重嫌过程。随着触头距离的不断加大,击穿电压增加,过电压幅值也逐渐增大,一直到触头间的电压不再超过击穿电压时结束重嫌过程。图中Um为最大过电压幅值。┌─────┬─────────┐│灿头分开 ├─────┐/r/ ││ l │、一厂 │ ││ l │ 、 │ ││瓜笋粉 │ 、 │ ││ │ 、 │ ││ │ 、 │ ││ │ 、│ │└┬────┼─────┼───┤ │/ │ │ I │ └────┘ │ I │ │, │ │I │ └───┘ 特快速瞬态过电压产生的示意图 隔离开关触头运动速度较低,一次操作过程中有可能发生数十次甚至数百次重嫩过程。类似的特快速瞬态过程也可在GIS隔离开关合小电容电流时产生。 VFTO一般不超过2.op.u.,有的可达2,5 p.u.,极少达到3.0 p.u.。VFTO水平的平均值,一般低于雷电冲击耐受水平.对采用GB3ll.1一1997和IEC71一1(1993)标准规定的倾定绝缘水平的缺陷的Gls绝缘不起周值作用. 特快速瞬态过电压的波前陡度与隔离开关触头间的电场均匀程度、电极间隙距离、气体性质和压力大小以及Gls的结构等因素有关。一般其初始前沿在3~Zoon,之间。GIS中SF。气体具有很高的绝缘强度,触头间的击穿距离相对较小,这种情况下发生击穿时,触头两端电压可在数纳秒时间内突然下降,使注入的阶跃波具有极高的陡度。 实际隔离开关操作多次重嫌引起的整个瞬态过程是由GIS中各不同节点的折射波和反射波的盛加而形成的,过电压波形要比上述的更为复杂。 特快速过电压对Gls内部绝缘的影响与SF。气体在陡波作用下的绝缘耐受能力有关。陡波前过电压的波前时间以纳秒计,比标准蓄电冲击波的小得多。SF‘气体在陡波前过电压作用下的绝缘性能还与波的极性有关,而且击穿电压的分散性很大。对于有缺陷的SF。绝缘系统,可能由于电极表面凹凸不平造成电场不均匀,在这种情况下绝缘耐受陡波前过电压的能力将下降很多。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条