1) InGaAs/InP APD detector
InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器
2) avalanche photodiode detector
雪崩光电二极管探测器
3) InGaAs APD
InGaAs雪崩光电二极管
1.
The chip of the four-quadrant InGaAs APD in this paper is designed in a frontal incident planar structure and its material part is an SAGM APD.
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。
4) InGaAs/InP detector
InGaAs/InP PIN光探测器
6) Avalanche Photodiode Coupler
雪崩光电二极管偶合器
补充资料:高山雪崩
1968年,瑞士达弗斯镇一次雪崩雪崩是积雪向下迅速滑动的自然现象,它有两个先决条件:首先,发生雪崩的地方必然是倾斜的山坡或沟谷,坡度越大,越容易发生雪崩。平原地区即使积雪很厚,也不致有雪崩出现。其次,还要有较厚的积雪,据一些资料分析,山坡积雪深度30厘米以上才会发生雪崩,雪深70厘米时就会经常发生雪崩。因为雪崩大都发生在高山积雪地区,它是登山者的大敌。过去有的登山运动员在攀登珠穆朗玛峰时,就是因为碰到了雪崩,被掩埋在积雪之中。此外,降水、气温、阳光、风力、地震以及触动都会导致雪崩。
我国科学工作者经过多年的研究考察,已经总结出建筑土丘、水平台阶、导雪堤工程等一整套防止雪崩的方法,有效地减轻了雪崩的危害。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
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