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1)  InGaAs/InP APD detector
InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器
2)  avalanche photodiode detector
雪崩光电二极管探测器
3)  InGaAs APD
InGaAs雪崩光电二极管
1.
The chip of the four-quadrant InGaAs APD in this paper is designed in a frontal incident planar structure and its material part is an SAGM APD.
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。
4)  InGaAs/InP detector
InGaAs/InP PIN光探测器
5)  avalanche photodiode coupler
雪崩光电二极管耦合器
6)  Avalanche Photodiode Coupler
雪崩光电二极管偶合器
补充资料:高山雪崩

1950年,我国西藏东部的波密地区发生了一次罕见的雪崩。雪崩中,一个庞大的雪体从海拔6000米的高山上崩落下来,越过一条冰川,翻过一道海拔4000米的山梁,最后堆积在雅鲁藏布江大拐弯处的一条支流中,堵塞了河流,切断了公路交通。这个庞大雪体所过之处,形成了类似核弹爆炸冲击波那样的巨大冲力,把森林植被一扫而光。1970年7月24日,我国天山南部高山带发生的一次雪崩中,不仅扫光了沿途的森林,还摧毁了房屋,造成了人畜伤亡。

1968年,瑞士达弗斯镇一次雪崩雪崩是积雪向下迅速滑动的自然现象,它有两个先决条件:首先,发生雪崩的地方必然是倾斜的山坡或沟谷,坡度越大,越容易发生雪崩。平原地区即使积雪很厚,也不致有雪崩出现。其次,还要有较厚的积雪,据一些资料分析,山坡积雪深度30厘米以上才会发生雪崩,雪深70厘米时就会经常发生雪崩。因为雪崩大都发生在高山积雪地区,它是登山者的大敌。过去有的登山运动员在攀登珠穆朗玛峰时,就是因为碰到了雪崩,被掩埋在积雪之中。此外,降水、气温、阳光、风力、地震以及触动都会导致雪崩。

我国科学工作者经过多年的研究考察,已经总结出建筑土丘、水平台阶、导雪堤工程等一整套防止雪崩的方法,有效地减轻了雪崩的危害。

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