1) Located Charge Trenches
局域电荷槽
2) density of localized trapped charge
局域态电荷密度
1.
Based on an advanced distribution model of gap states in a-Si: H, a model for the density of localized trapped charge is developed considering defect and tail localized states simultaneously.
本文发展了一种简明的氢化非晶硅（a－Si：H）局域态电荷密度统一模型。
3) local hole distribution
局域电荷分布
4) quasilocalized charge approximation
准局域电荷近似
5) Local charge derivative
局域原子电荷微分法
6) charge trench
电荷槽
1.
A novel high voltage device structure——partial locating charge trench SOI (PTSOI) is proposed .
提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构。
补充资料：超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
伦敦第二个方程（见“伦敦规范”）表明，在伦敦理论中实际上假定了js(r)是正比于同一位置r的矢势A(r)，而与其他位置的A无牵连；换言之，局域的A(r)可确定该局域的js(r)，反之亦然，即理论具有局域性，所以伦敦理论是一种超导电性的局域理论。若r周围r'位置的A(r')与j(r)有牵连而影响j(r)的改变，则A(r)就为非局域性质的。由于`\nabla\timesbb{A}=\mu_0bb{H}`，所以也可以说磁场强度H是非局域性的。为此，超导电性需由非局域性理论来描绘，称超导电性的非局域理论。皮帕德非局域理论就是典型的超导电性非局域唯象理论。
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参考词条