1)  Gaussian
Gauss基函数
2)  Gallium
Ga
1.
Density and Viscosity of Gallium Melt and Its Microstructure;
液态Ga的密度和黏度及其微观结构
2.
Gallium bearing ferrites with different gallium content were synthesized by oxidation of ferrous and gallium ions under alkaline condition and room temperature.
采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。
3.
The adsorption behavior of nanometer TiO_2 towards Gallium (Ga) Indium (In) and Thallium (Tl) was investigated with inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES).
研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。
3)  Ga
Ga
1.
Influences of Gallium on Microstructure and Mechanical Properties of Mg-x%Al-2%Ga Alloys;
Ga对铸态Mg-x%Al-2%Ga镁合金显微组织和力学性能的影响
2.
Preliminary Feasibility Study of Extracting Ga、Nb、Li and Sc from Bauxite Ore;
从铝土矿中提取Ga、Nb、Li、Sc的可行性初步研究
3.
Effects of Ga on electrochemical properties of Al-Zn-In sacrificial anodes;
Ga对Al-Zn-In合金牺牲阳极电化学性能影响
4)  Ga-In-As
Ga-In-As
1.
THERMODYNAMICS OF Ga-In-As SYSTEM UNDER LATTICE DEFORMATION;
晶格形变情况下Ga-In-As体系热力学研究
5)  GaAs
Ga As
1.
Interference of Electron in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Structure;
Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉
6)  genetic algorithm & fuzzy C-means
GA-FCM
参考词条
补充资料:高斯函数模拟斯莱特函数
      尽管斯莱特函数作为基函数在原子和分子的自洽场(SCF)计算中表现良好,但在较大分子的SCF计算中,多中心双电子积分计算极为复杂和耗时。使用高斯函数(GTO)则可使计算大大简化,但高斯函数远不如斯莱特函数(STO)更接近原子轨道的真实图象。为了兼具两者之优点,避两者之短,考虑到高斯函数是完备函数集合,可将STO向GTO展开:
  
  
  式中X(ζS,A,nS,l,m)定义为在核A上,轨道指数为ζS,量子数为nS、l、m 的STO;g是GTO:
  
  
  其变量与STO有相似的定义;Ngi是归一化常数:
  
  
  rA是空间点相对于核A的距离;ci是组合系数;K是用以模拟STO的GTO个数(理论上,K→∞,但实践证明K只要取几个,便有很好的精确度)。
  
  ci和ζ在固定K值下, 通过对原子或分子的 SCF能量计算加以优化。先优化出 ζS=1 时固定K值的ci和(i=1,2,...,K),然后利用标度关系式便可得出ζS的STO展开式中每一个GTO的轨道指数,而且,ci不依赖于ζS,因而ζS=1时的展开系数就是具有任意ζS的STO的展开系数。对不同展开长度下的展开系数和 GTO轨道指数已有表可查。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。