1)  GMI
巨磁阻抗
1.
Influence of Geometrical Structure on Giant Magneto-Impedance(GMI) Effect in Multilayered Thin-film;
几何结构对复合薄膜巨磁阻抗效应的影响
2.
Preparation and Properties of NiFe and NiFe-Cu-NiFe GMI Thin Films;
NiFe和NiFe-Cu-NiFe巨磁阻抗薄膜的制备与性能
2)  GMI
GMI
1.
一、 Longitudinally driven giant magnetoimpedance(LDGMI) effect of Fe-based alloy ribbons annealed at different annealing parameters(temperature, stress) have been studied systemically.
5)B_9)薄带晶化的新工艺和提出了关于Fe基合金材料晶化机理的新模型，研究工作主要从以下三方面展开： 一、系统性地研究了温度和应力二个应力退火工艺参数对应力退火Fe基合金薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响。
3)  GMi
单唾液酸四己糖神经节苷脂（GM1）
4)  GMI effect
巨磁阻抗效应
1.
Influence of Joule annealing on GMI effect for Co-based amorphous microwires;
电流退火对钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响
2.
The GMI effect of the films varied with soft magnetic properties and magnetic m.
本文采用 M?ssbauer 谱学方法以及其它手段对 FeCuNbSiB 薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨。
3.
The results show that the GMI effect enhanced,when the (Ni_(80)Fe_(20)/SiO_2) bilayers structure repeated in the sample.
用磁控溅射法在载玻片上制备了(Ni_(80)Fe_(20)/SiO_2)_n/Cu/(SiO_2/Ni_(80)Fe_(20))_n复合结构多层膜,并对其巨磁阻抗效应进行了研究。
5)  GMI effect
GMI效应
1.
In recent years,the research on GMI effect has extended to composites structure materials, which have shown enhanceme.
相比于匀质材料,复合结构材料的巨磁阻抗效应显著增强,且在较低的频率下就可以观察到明显的GMI效应。
2.
In this thesis, we introduceed the status of GMI effect;application in sensor of GMI, the theory of GMI effect, the factors to influenced on GMI effect, and the method about how to improve GMI effect.
本论文介绍了非晶软磁材料的巨磁阻抗(GMI)效应发展的现状、GMI效应在传感器上的应用、GMI效应的理论研究、影响GMI效应的因素、提高材料GMI效应所进行的处理。
3.
In this thesis, we mainly reviewed the history of GMI effect, introduced the origin of GMI, the methods in researching GMI effect, the factors that influenced on GMI effect, and the experimental analysis on the noble phenomenon of GMI effect.
本论文回顾了巨磁阻抗(GMI)效应发展的历史;介绍了巨磁阻抗(GMI)效应起源、理论方法,以及影响巨磁阻抗(GMI)效应的因素和GMI效应特殊现象等研究实验现状。
6)  GMI sensor
GMI传感器
参考词条
补充资料：星接阻抗和三角接阻抗的变换


星接阻抗和三角接阻抗的变换
transformation between starc-onnected and delta-connected impedances

x ing]一e乙日kongl介e sonJ一00}Iez日伙ongde匕一。一〕huon星接阻抗和三角接阻抗的变换(t ransfor-mation betweenstar一eonneeted and delta-eonneeted imPedanees)接成星形的三个阻抗和接成三角形的三个阻抗互相替代的等效变换。它们之间的关系可用一组变换公式表示。按这组公式，用星接阻抗替换三角接阻抗或者反过来，不会影响稳态下电路其他部分的正弦电压和电流，常用于对称三相电路的分析和计算。 图1为三个阻抗21、Z:、23接成星形(又称丫形)。图2为三个阻抗Z小22。、Zal接成三角形(又称△形)。它们之间的变换公式如下:人23土图1星接阻抗图2三角接阻抗(1)将星形连接变换成三角形连接212一Z:+22+2 122及3一22+za十警(1)、|冬|矛231一23+21+2321(2)将三角形连接变换成星形连接z、-二一典乒兴-) 艺‘2士乙“3十乙31…_2 oqZI，}Z。一下万~一二-二二-汁 乙‘2士乙23十乙3‘1_Z。IZoq}艺q一二二一~二，二二--，-二二-~J 乙12十乙23十艺32夕(2) 当三个星接阻抗相等，即21一Z:一23一z丫、三个三角接阻抗相等即212一223一231一Z△时，变换公式是 Z二一32丫，Z丫一Z△/3
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