1) drain saturation voltage
饱和漏电压
2) saturated drain current
饱和漏电流
1.
It is studied that the influence of AB microdefects in semi-insulating GaAs substrate grown by LEC on the property of MESFET devices including transconductance (g m),saturated drain current (I dss),and pinch-off voltage (V p) .
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 。
3) saturation voltage
饱和电压
1.
The influences of the surface polarization on the threshold voltage and the saturation voltage are investigated analytically.
考虑挠曲电极化,但不考虑界面上离子选择吸附产生的极化,文章详细讨论了表面极化P_s对平行向列液晶盒阈值电压和饱和电压的影响。
4) voltage saturation
电压饱和
5) saturated drain-source current
饱和源漏电流
1.
In this paper, we investigated the mechanism for the decrease of saturated drain-source current ( ) due to sulfur passivation.
本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素。
6) Saturation drain current
饱和漏极电流
补充资料：饱和蒸气压
分子式：
CAS号：
性质：饱和蒸气压的简称。液体蒸发或固体升华所产生的气体分子对容器壁等物造成的压强。在指定温度和压力下，于一不含空气和其他物质的密闭容器内，指定的液体(或固体)进行蒸发(或升华)，当单位时间内液体蒸发(或固体升华)的分子数目与蒸气中凝结为液体(或凝华为固体)的分子数相等时，称达到了相变平衡态。此时的蒸气压称为指定液体(或固体)在指定温度和外压下的饱和蒸气压(saturated vapour pressure)。
CAS号：
性质：饱和蒸气压的简称。液体蒸发或固体升华所产生的气体分子对容器壁等物造成的压强。在指定温度和压力下，于一不含空气和其他物质的密闭容器内，指定的液体(或固体)进行蒸发(或升华)，当单位时间内液体蒸发(或固体升华)的分子数目与蒸气中凝结为液体(或凝华为固体)的分子数相等时，称达到了相变平衡态。此时的蒸气压称为指定液体(或固体)在指定温度和外压下的饱和蒸气压(saturated vapour pressure)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条