1) Peaking Circuit
峰化电路
2) Kurtosis
峰化
3) inductor peaking
电感峰化
4) Peaking capacitor
峰化电容
1.
The influence of the peaking capacitor and the pressure of mixture gas on the performance of UV preionized pulsed HF laser is investigated.
研究了气体组份和峰化电容对紫外光预电离脉冲HF激光器性能的影响。
5) peaking technique
峰化技术
1.
35μm CMOS technology,three types of pre-equalized optoelectronic integrated receivers are designed by parallel resonant loop peaking technique,third-order ladder network peaking technique,and high-pass filter peaking technique,respectively,where a fingered dual-photodiode is applied wi.
提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法——前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均衡0。
6) capacitive peaking
电容峰化
1.
In order to achieve a broad bandwidth,a capacitive peaking technique was adopted in the common-base topology and cascode amplifier in common-emitter topology.
为获得更宽的电路带宽,共基极电路采用了电容峰化技术。
参考词条
补充资料：砷化镓集成电路
| 砷化镓集成电路 GaAs integrared circuit 用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初，由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破，使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比，GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征，因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料缺陷较多，集成规模受到限制，成本较高。GaAs集成电路可分为模拟集成电路如单片微波集成电路和数字集成电路两类。前者主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信等领域，后者主要用于超高速计算机及光纤通信等系统。 |
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