2) drilling multi-parameter monitoring
钻井多参数监测
4) drilling parameters
钻井参数
1.
, drilling parameters reasonably matched well, polymer clay free drilling fluid injected-time prolonged, drilling bit types .
通过合理匹配钻井参数、延长聚合物无固相钻井液的使用时间、优选钻头类型、提高钻井液抑制性、改善钻具结构等技术措施,极大地提高了该地区的钻井速度,平均机械钻速提高到现在的12m/h以上,缩短了钻井周期,达到了预期的效果。
2.
Based on principle of modularized design,the article discusses how to divide modules of drilling parameters instrument,rules of design and the main work of design.
文章以模块化设计原理为基础,讨论了钻井参数仪的模块划分,模块化设计准则和主要设计内容。
3.
Starting from the view point of practical application, based on large amount of pressure well logging data home and abroad, the author demonstrated how to distinguish over-pressure formations using wellsite data, through selected methods such as drilling parameters, rock fragment analysis, drilling fluid parameters, and electric well-logging.
本文从现场实用性的角度出发,综合国内外大量压力录井资料,其中,选取了部分常用的压力评价方法,如钻井参数、岩屑分析、钻井液参数、电测井等,对如何利用现场资料来判断超压层进行阐述。
5) drilling parameter
钻井参数
1.
In weakly consolidated formations,the technical challenges of drilling a horizontal well include lower rate of overall inclination change,improper MWD signal transfer,difficult to select drilling parameters and bottom hole assembly,etc.
以胜利油田埕52-平2井和草128-平4井为例,从钻井工程设计、钻井参数优选、底部钻具组合优化等方面对弱胶结地层水平井钻井技术进行了探讨。
2.
It is the priority to develop the design of numerical drilling system information source,including drilling parameter,production,and management parameters.
数字化钻井系统信息资源的开发利用是数字化钻井系统设计的重要问题,其信息资源包括钻井参数、生产运行和管理参数等。
3.
Most conventional anti-deviation devices have inherent limitations, and their anti-deviation effects are greatly affected by drilling parameters such as bit weight and rotary speed.
FG型防斜工具的显著特点是其防斜效果受钻压、转速等钻井参数影响较小,钻头侧向力大小基本不随钻压改变,在旋转过程中钻头侧向力方向可以不断变化。
6) oil well's parameters measurement
油井参数测量
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
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参考词条