1) amplitude-based double-random-phase transform
振幅型双随机相位加密变换
2) fully phase double-radom-phase transform
相位型双随机相位加密变换
3) double random phase encryption
双随机相位加密
1.
The double random phase encryption method based on optical transformation is firstly introduced,then geometrical transformation methods such as the Arnold transformation and chaotic encryption are described.
首先介绍了光学变换中的双随机相位加密方法,其次描述了几何变换中的Arnold变换和混沌变换两种经典置乱加密方法,最后将这三大类加密方法进行组合实现图像复合加密。
4) biamplitude phase filters
双振幅相位型滤波器
5) random pair-bits-circular transformation
随机双位循环变换
6) double random phase
双随机相位
1.
A new optical encryption technique based on double random phase computer-generated hologram of asymmetry fractional Fourier transform is presented.
提出了双随机相位不对称分数傅里叶变换计算全息。
2.
Asymmetry fractional Fourier transform computer-generated hologram(AFRTCGH) and double random phase AFRTCGH are presented based on computer-generated hologram(CGH) and fractional Fourier transform(FRT) is presented.
在计算全息和分数傅里叶变换的基础上提出了不对称分数傅里叶变换计算全息和双随机相位不对称分数傅里叶变换计算全息。
3.
A new optical image encryption method using dissymmetrical fractional Fourier transform and double random phase encoding was presented.
提出了一种利用不对称分数傅里叶变换和双随机相位编码对图像加密的方法。
补充资料:双极型随机存储器
用双极型晶体管构成的随机存储器。它在半导体存储器中是最先研制成功的,用作计算机的缓冲存储器,使运算速度显著提高。双极型随机存储器的速度比磁芯存储器速度约快 3个数量级,而且与双极型逻辑电路型式相同,使接口大为简化。双极型随机存储器的制造工艺比 NMOS(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)复杂,密度不及 MOS金属-氧化物-半导体动态随机存储器。在半导体存储器中,双极型随机存储器发展速度最快,在计算机高速缓冲存储器、控制存储器、超高速大型计算机主存储器等方面仍获得广泛应用。超高速发射极耦合逻辑电路随机存储器和高集成密度集成注入逻辑电路随机存储器已有新的发展。
图1和图2是双极型随机存储器典型单元线路图和剖面结构,其基本结构是触发器。图3是典型的双极型静态随机存储器框图。每个单元有一根字线,二根位线。单元的电流(或电压)由字线控制,信息的写入和读出由位线控制。单元有二种状态,即选中状态和等待状态(又称维持状态)。为减少功耗,等待状态的维持电流越小越好。选中时,应用足够的读写电流,避免误读。图1的单元采用电阻和二极管并联作为负载,采用浮动电压方式工作;等待时,电压低,二极管截止,电流受大电阻RC(20~40千欧)所限,约在15~40微安之间,选中时,电压上升,二极管通导,位线电流可达400~500微安,不致误读。这种单元结构虽然有8个元件,运用设计技巧可使所占用的硅片面积不致过大,仅略大于一个双发射极晶体管。当集成度进一步提高到 16k位时,图1单元的等待状态电流过大,可采用图2单元。等待状态的电流可由 15微安下降至3微安,这种单元电路实际上是由二只可控硅构成的触发器组成,采用浮动字线电压工作方式。等待状态电流约为3微安;选中状态时,电压提高,信息电流约达1毫安。
图1和图2是双极型随机存储器典型单元线路图和剖面结构,其基本结构是触发器。图3是典型的双极型静态随机存储器框图。每个单元有一根字线,二根位线。单元的电流(或电压)由字线控制,信息的写入和读出由位线控制。单元有二种状态,即选中状态和等待状态(又称维持状态)。为减少功耗,等待状态的维持电流越小越好。选中时,应用足够的读写电流,避免误读。图1的单元采用电阻和二极管并联作为负载,采用浮动电压方式工作;等待时,电压低,二极管截止,电流受大电阻RC(20~40千欧)所限,约在15~40微安之间,选中时,电压上升,二极管通导,位线电流可达400~500微安,不致误读。这种单元结构虽然有8个元件,运用设计技巧可使所占用的硅片面积不致过大,仅略大于一个双发射极晶体管。当集成度进一步提高到 16k位时,图1单元的等待状态电流过大,可采用图2单元。等待状态的电流可由 15微安下降至3微安,这种单元电路实际上是由二只可控硅构成的触发器组成,采用浮动字线电压工作方式。等待状态电流约为3微安;选中状态时,电压提高,信息电流约达1毫安。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条