1) High power LD pumped
大功率二极管泵浦
2) high-power Q-cw diode-pumped
高功率激光二极管(LD)泵浦
3) high-power diode-pumped solid-state laser
高功率二极管泵浦固体激光器
4) diode-pumped
二极管泵浦
1.
Application and development of high power diode-pumped solid-state laser;
大功率二极管泵浦固体激光器的应用和发展
2.
Development and application of diode-pumped all-solid-state laser;
激光二极管泵浦全固体激光器(DPSSL)的发展与应用
3.
So now, it has been well developed in the solid-state laser field, The dissertation is around the study on diode-pumped solid-state pulse lasers.
激光二极管泵浦的固体激光器(DPL或DPSSL)是用激光二极管(DPL)代替闪光灯泵浦激光晶体的固体激光器，与灯泵浦相比，具有效率高、体积小、结构紧凑、性能稳定、寿命长等优点，已成为当今固体激光器发展的主要方向。
5) LD pumped
二极管泵浦
1.
LD pumped intro-cavity OPO high repetition frequency 2 μm laser;
二极管泵浦腔内OPO高重复频率2μm激光器
2.
A series of optical thin films for LD pumped all- solid- state laser are discussed.
介绍了二极管泵浦固体激光器(DPSSL)使用的一系列光学薄膜。
3.
In this paper,we present a design for the high gain LD pumped solid state laser amplifier.
对高增益二极管泵浦固体激光放大器进行了设计 ,在输入脉冲峰值功率为 1～ 1 0 0 0 W级、脉宽为 1 0～ 30 ns的条件下 ,利用 80 8nm半导体泵浦源对一种新型几何结构的固体增益介质进行泵浦 ,实现 1 0 0 m J级的脉冲能量输出。
6) Diode pump
二极管泵浦
1.
Study on semiconductor diode pumped small solid state laser;
半导体二极管泵浦的小型固态激光器研究
2.
Generation of intracavity multi-wavelength and the basic principle of sum-frequency lasers are discussed, and the current research status and development of laser diode pumped lasers are introduced in detail.
讨论了腔内多波长的产生与和频激光器的基本原理,并介绍了激光二极管泵浦腔内和频激光器目前的研究现状及发展趋势。
补充资料：功率二极管
功率二极管
power diode
gongIU erl一guon功率二极管(power diode)由一个PN结或一个半导体一金属结构形成的电力半导体器件。在电力电子及灵活交流精电装里中，功率二极管被广泛应用于整流、吸收及续流等电路中。功率二极管随着其应用范围的扩展，派生出了许多类型，如结型功率二极管、功率齐纳二极管、肖特基势垒二极管等。特别是由于近年来新型电力半导体器件的涌现，对与之配合的功率二极管的要求也在迅速发展。 半导体材料按导电性能可以分为N型半导体和P型半导体两种。主要以带负电荷的电子为载流子的材料，称为N型半导体;主要以带正电荷的空穴为载流子的材料，称为P型半导体。在同一块半导体材料中，如果一部分为N型区，另一部分为P型区，则二者的交界面被称为PN结。PN结电特性的最大特点就是不同方向导电的非对称性。如果P端接电压的正极，N端接负极(通常称正方向)，则电流在由零变为倾定值(例如1。。。A).甚至浪涌电流的范围内变化时，PN结上的压降始终保持在IV左右。反之，如果P端接负，N端接正(通常称反方向)，则在所加电压由零到器件能正常承受的电压范围内(如。~2000V)流通的电流只有10 mAt级。这种特性称为开关特性，正向为通态，反向为断态。形成导电非对称性的原因是在PN结处存在势垒，其电场方向是阻止N型侧的电子及P型侧的空穴向对方扩散。在加正向电压时，外加电压削弱了势垒，两侧的主要载流子可以自由地向对方扩散，于是表现为在低电压降下流通大电流。在加反向电压时，外加电压使PN结的势垒加强，直到势垒与外加电压相等，因而只有极小的漏电流可以流通。 在半导体基片上淀积一层金属而形成紧密的接触，称为金属一半导体接触。当半导体材料的掺杂浓度较低(如低于5X10，，cm一3)时，此接触表现出类似PN结的单向导电性。半导体和金属中的电子都能在获得一定能t后逸出半导体或金属表面进人真空，此能盘称为各自材料的逸出功.如金属的逸出功大于半导体的逸出功，则表明该金属中的电子比半导体中的电子较难进人真空。当两种材料在同一个晶格上形成紧密的接触时，半导体中电子很容易穿越界面进人金属，而金属中的电子则不能。于是半导体晶格中留下的带正电的杂质离子层与金属中带负电的电子层即形成势垒，其电场方向为阻止半导体中电子的进一步穿越，这样保持界面之外的金属和半导体仍为中性状态。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条