2) n-BN/p-Si film heterojunctions
n-BN/p-Si薄膜异质结
1.
n-BN/p-Si film heterojunctions was fabricated with boron nitride films grown by magnetron sputtering and S ion implantation, and annealed at 600 ℃,on p-type Si( 100)substrate.
用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN／p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质。
3) amorphous silicon nitride film
无定形氮化硅膜
4) p-type μc-Si:H thin films
p型微晶硅薄膜
1.
Using plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) technique p-type μc-Si∶H thin films with the thickness of about 40nm are prepared on the glass substrate when B2H6 is used as dopant.
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。
5) Reverse bias pn junction
反偏硅p-n结
6) p-n junction silicon diode
p-n结硅二极管
补充资料：无定形硅
单质硅的一种形态，为棕黑色或灰黑色的微晶体。这种固体硅不具有完整的金刚石型晶胞，纯度不高，熔点、密度和硬度等数值也明显低于晶态硅；化学性质比晶态硅活泼。
无定形硅可由活泼金属（如钠、钾等）在加热下还原四卤化硅（SiF4或SiCl4）,或在高温下用碳或镁等还原剂与二氧化硅作用制得：
式中X代表卤素。
无定形硅可由活泼金属（如钠、钾等）在加热下还原四卤化硅（SiF4或SiCl4）,或在高温下用碳或镁等还原剂与二氧化硅作用制得：
式中X代表卤素。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条