1) Seeded vertical Bridgman method
籽晶垂直布里奇曼法
2) VBM
垂直布里奇曼法
1.
PbI_2 single crystal with three different colors were prepared using Vertical Bridgman Method(VBM).
以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种不同颜色的PbI2单晶体。
2.
With the presynthesized polycrystals,the integral and gray-black ZnGeP2 single crystals with size of Φ15 mm×25 mm were obtained by modified Vertical Bridgman Method(VBM).
以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹。
3) vertical bridgman method
垂直布里奇曼法
1.
The high-quality copper single crystals have been successfully grown by the vertical Bridgman method(VBM),using a self-made growth furnace which is heated with four molybdenum disilicide rods.
本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体。
4) Cd compensated vertical bridgman method
Cd补偿垂直布里奇曼法
1.
Growth of Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te crystals by Cd compensated vertical bridgman method;
Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体
5) Vertical Bridgman (VB) method
垂直布里奇曼(VB)法
1.
2 Te single crystal was successfully grown by using Vertical Bridgman (VB) method in our laboratory.
本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0。
6) MVBM
改进垂直布里奇曼法
1.
An integral ZnGeP2 single crystal with size of Φ20mm×30mm was obtained by Modi-fied Vertical Bridgman Method (MVBM).
用改进垂直布里奇曼法(MVBM)生长出尺寸为Φ20mm×30mm的ZnGeP2单晶体。
补充资料：布里奇曼法生长单晶
布里奇曼法生长单晶
Bridgman crystal growth method
水平布里奇曼(HB)法HB法主要用来生长砷化稼单晶，也用来生长砷化锢、锑化锢或锑化稼单晶。生长砷化稼单晶的水平布氏炉分为:两温区炉(2T-HB)、三温区炉(3T一HB)和梯度凝固炉(GF)。 两温区炉是水平布氏法生长砷化稼单晶的典型方法。ZT一HB炉的结构及其温度分布见图1。稼和砷真空熔封在石英容器内。高温区保持在砷化稼熔点以上(1245一1260oC)，可使砷和稼化合，或者熔化砷化稼锭料;低温区(610一620℃)可使砷挥发到高温区与稼化合，并使砷的蒸气压保持在0.IMPa，这样与砷化稼的离解压力(“O.IMPa)相平衡。当炉体向右移动时，在高温区和低温区之间的温度梯度区内GaAs熔体可沿籽晶逐渐结晶而生成单晶。┌──────────┐│门一一一一一不宝茎功│└──────────┘ 密封石英管石英舟炉丝 炉子行程一一一一一1238-一一一一一一一一，，尸，r.，r.，、-12川l1川川出川山川川川山山q︸们城八 ﹁分︸娜嗯 子卜离 图l水平两温区布里奇曼炉体结构与温度分布 三温区法是生长GaAs单晶比较理想的方法。在高温区和低温区之间增加了中温区(1120一1200℃)，这样可使结晶部位的温度梯度比较小，这种条件对单晶生长有利，并能改善晶体的完整性。中温区的存在对抑制Ga和石英的反应起了较好的作用，从而减少了Si污染;对防止GaAs与石英舟的“沾润”起到了良好作用。 在HB炉中，为了达到所设定的温度分布，每个温区都采用多段加热，特别对高温区由3段或更多段组成。为了使结晶部位的温度均匀，在此采用四象限加热控制方法，以达到理想的固液界面。HB炉要求稳定的温度控制体系，一般采用PID法的温控系统，现在已发展到带有程序的温控体系，并用计算机来操纵若干台HB炉。 HB炉设备简单，可用来生长非掺杂和各种掺杂品种规格的砷化稼单晶。单晶的完整性好。晶片的形状为D形，可加工成各种矩形和圆形片。已能生产功5认功76的标准圆片，并已研制出必100的晶片。单晶的重量一般为1一skg，目前已达到5一10kg。单晶的长度一般为250一600 mm，最长达lm。垂直布里奇曼(vB)法垂直布氏法的炉体结构及温度分布见图2。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条