1)  driving circuit
PDP驱动电路
2)  Pd
Pd
1.
Synthesis of N-Hydroxyalkyl-substituted Bisimidazolium Chloride Salt and the Catalytic Activity of Its Pd-complex for Suzuki-Miyaura Cross-coupling Reaction;
含羟基手臂双咪唑鎓氯盐的合成及其Pd络合物对Suzuki-Miyaura交叉偶联反应的催化活性
2.
The Interaction between Pd and CeO_2(111) surface: A first-principle study;
Pd与CeO_2(111)面的相互作用的第一性原理研究
3.
Effect of Pt,Pd on the Properties of Co-B/γ-Al_2O_3 Alloy Catalysts for Thiophene Hydrodesulfu-rization;
Pt、Pd对Co-B/γ-Al_2O_3催化噻吩加氢脱硫性能的影响
3)  Palladium
Pd
1.
Autocatalytic Electroless Deposition of Palladium onto p-Silicon (100);
Pd在p型单晶硅(100)表面自催化化学沉积(英文)
2.
Abstraction of Gold,Platinum and Palladium from Platinum and Palladium Concentrate;
从铂钯精矿中提取Au、Pt、Pd
3.
Separation and Extraction of Platinum and Palladium from the Furnace Ash;
从炉灰中回收和提纯Pt、Pd
4)  palladiumⅡ
PdⅡ
5)  Pd(Ⅱ)
Pd（Ⅱ）
6)  Pd(Ⅱ)
Pd（Ⅰ）
参考词条
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路


高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
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