1) Mismatch Model
失配模型
1.
The factors of MOS transistor in the saturation region are analyzed,the mismatch models are optimized,and the model parameter extraction is done by least squares curve fitting method.
通过分析MOS管在饱和区失配因素,优化MOS管失配模型,提出用最小二乘曲线拟合法进行相关模型参数提取。
2) model mismatch
模型失配
1.
<Abstrcat> Although repeated online identification, which is commonly used by a generalized predictive control(GPC) algorithm, can effectively overcome model mismatch, it is extraordinarily adverse to real time situations due to heavy computational burden.
虽然广义预测控制(GPC)能够通过不断的在线辨识克服模型失配的不利影响,但它计算耗时,不利于在线实时的情况。
2.
The proposed PID-DMC algorithm can effectively control the second-order water-level plant at the presence of apparent model mismatch.
提出了一种新的带PID校正环节的DMC算法,论述了其原理并将其应用于实际液位控制系统,实现了系统在模型失配明显的情况下对二阶液位对象的有效控制。
3.
This is aimed at offsetting the effect of the model mismatch, and strengthening the robustness of the GPC algorithm.
本文基于ＢＰ结构神经网络，对系统的建模误差进行预测，并将其与模型预测相结合构成广义预测控制算法，目的在于抑制模型失配的影响，增强广义预测控制的鲁棒性，仿真结果表明了这一算法的有效性。
3) process/model mismatch
过程/模型失配
4) mode mismatch
模式失配
1.
The influence of mode mismatch on measurement in continuous-wave cavity ring-down technology was theoretically analyzed and experimentally studied.
对连续波腔衰荡技术中的模式失配对测量结果的影响进行了理论分析和实验研究。
5) model field unbalance
模场失配
1.
Through analyzes the reason which the optical fiber splicing loss produces, obtains may adjust splicing the parameter to improve the model field unbalance,and realizate the different type optical fiber low loss splicing.
通过分析光纤熔接损耗产生的原因,得出可以调整熔接参数来改善模场失配,实现不同类型光纤的低损耗熔接。
6) type mismatch
类型失配
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
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参考词条