2) analog and mixed integrated circuit design
模拟和混合集成电路设计
3) VLSI Design
超大规模集成电路设计
1.
The Discussion on Jitter in Deep Sub-micrometer VLSI Design;
文章在介绍相位噪声的定义、定量描述、来源以及前人的研究工作的基础上,提出建立相位噪声的软件仿真环境及给出相应判据的解决思路,以期指导高速发展的超大规模集成电路设计技术的提升。
4) Analog VLSI layout
模块集成电路版图设计
6) analog integrated circuit
模拟集成电路
1.
Research on Analog Integrated Circuit Design Methodology and Analog IP Design Technology;
模拟集成电路设计方法学及模拟IP设计技术的研究
2.
In analog integrated circuit layout, the feature size varies largely with different layers.
层次式直接边界元方法可一次性计算出整个互连寄生电容矩阵,具有较高的计算效率针对模拟集成电路的特点,对层次式三维电容提取的三维块切割方式、非均匀边界元划分和程序组织等方面进行了改进,显著地提高了算法的效率数值实验表明,改进的层次式互连电容提取在保证高精度的同时,速度提高了数倍,适用于实际的模拟集成电路设
3.
A discussion is devoted to parameter optimization design of cell analog integrated circuit.
探讨单元模拟集成电路参数最优设计方法，将此最优问题归结为约束化的非线性问题，并用遗传算法求解。
补充资料：集成电路版图设计规则
集成电路版图设计规则的作用是保证电路性能，易于在工艺中实现，并能取得较高的成品率。版图设计规则通常包括两个主要方面：①规定图形和图形间距的最小容许尺寸；②规定各分版间的最大允许套刻偏差。
集成电路制作中，各类集成元件、器件及其间的隔离与互连等是在一套掩模版的控制下形成的。一套掩模版通常包括 4～10块分版。每一块分版是一组专门设计的图形的集合，整套版中的各分版相互都要能精密地配合和对准。整套掩模版图形(简称版图)的设计，是把电路的元件、器件和互连线图形化，用它来控制制备工艺，使集成电路获得预期的性能、功能和效果。例如，增强型负载硅栅N沟道MOS型集成电路需要4块分版,分别用以确定有源区、多晶硅、接触孔和铝连线。4组图形的规则是：
有源区条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅条宽与间距
8μm/6μm
接触孔尺寸
6μm×6μm
铝连线条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅-有源区套刻量(ɑ)
2μm
多晶硅出头长度(b)
4μm
接触孔-有源区套刻量(c)
2μm
接触孔-有源区上多晶硅套刻量(d) 4μm
接触孔-隔离区上多晶硅套刻量(e) 2μm
铝连线-接触孔套刻量(f)
2μm
不同类型的集成电路所需要的分版数不同，具体的版图设计规则也有差异。但制定版图设计规则的基本原则则是一致的:①需要考虑工艺设备状况(如光刻机的分辨率和对准精度)和工艺技术水平（如工艺加工中,图形尺寸侧向变化量和控制）；②避免寄生效应对集成电路的功能与电学性能的有害影响。
通常称允许的最小图形尺寸的平均值为特征尺寸。它是对集成电路集成密度的度量，是集成电路工艺技术水平的一种标志。
集成电路制作中，各类集成元件、器件及其间的隔离与互连等是在一套掩模版的控制下形成的。一套掩模版通常包括 4～10块分版。每一块分版是一组专门设计的图形的集合，整套版中的各分版相互都要能精密地配合和对准。整套掩模版图形(简称版图)的设计，是把电路的元件、器件和互连线图形化，用它来控制制备工艺，使集成电路获得预期的性能、功能和效果。例如，增强型负载硅栅N沟道MOS型集成电路需要4块分版,分别用以确定有源区、多晶硅、接触孔和铝连线。4组图形的规则是：
有源区条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅条宽与间距
8μm/6μm
接触孔尺寸
6μm×6μm
铝连线条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅-有源区套刻量(ɑ)
2μm
多晶硅出头长度(b)
4μm
接触孔-有源区套刻量(c)
2μm
接触孔-有源区上多晶硅套刻量(d) 4μm
接触孔-隔离区上多晶硅套刻量(e) 2μm
铝连线-接触孔套刻量(f)
2μm
不同类型的集成电路所需要的分版数不同，具体的版图设计规则也有差异。但制定版图设计规则的基本原则则是一致的:①需要考虑工艺设备状况(如光刻机的分辨率和对准精度)和工艺技术水平（如工艺加工中,图形尺寸侧向变化量和控制）；②避免寄生效应对集成电路的功能与电学性能的有害影响。
通常称允许的最小图形尺寸的平均值为特征尺寸。它是对集成电路集成密度的度量，是集成电路工艺技术水平的一种标志。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条