1) high power amplifier module
大功率功放组件
2) power module
功放组件
1.
It emphases anatomised modularisation design of power module and index of reliability in this transmitter.
介绍了一种L波段机载SAR发射机的设计,对发射机的系统组成、关键技术及可靠性都做了详细阐述,重点剖析了发射机的模块化功放组件设计及可靠性指标。
2.
In this paper,a liquid cooling power module is presented which could get to 2kW output power in its operation band;and the designs such as telecommunication,EMC,heat dissipation are all expatiated particularly.
功放组件是固态雷达发射机的重要组成部分,其热设计已成为发射机可靠性水平的重要标志之一。
3) power amplifier
功率放大
1.
OTL Circuit is one of the widely used complementary symmetry power amplifier.
OTL电路是目前应用较广的一种功率放大电路,着重研究了该电路的特殊性,并从理论上探讨了其在实际工作中可能引起的问题和解决办法。
2.
The pure signal can be obtained through the low pass filter,and then target signal is drove by the power amplifier.
采用单片机AT89C51控制DDS芯片AD9850产生频率可调的正弦信号,并通过低通滤波器得到纯正的信号,最后经过功率放大驱动电路输出目标信号。
3.
The device realizes the function through D/A converter,lowpass and power amplifier.
装置以TI公司的MSP430系列单片机为控制核心,经D/A转换、低通滤波后,由功率放大模块对信号进行放大输出。
4) power amplification
功率放大
1.
A power amplification of H-bridge bipolar PWM control is designed for controlling DC micro-motor of positive rotation,reverse rotation and speed regulation.
基于H型双极模式PWM控制原理,设计了一种直流微电机正反转调速功率放大电路。
2.
The properties of coatings are analyzed theoretically and experimentally throughout the deposition process of ZrO2 antireflection films on facets of GaAlAs/ GaAs laser with semiconductor power amplification for the wavelength of 808 nm .
通过对波长808nm的GaAIAs／GaAs半导体功率放大激光器端面镀ZrO2减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69％和32。
3.
Also used in the design is the LM 3886 power amplification chip, which is both potent and efficient.
本文介绍了一种新型功率放大电路的设计，利用普通元器件自制杜比环绕声解码器，将直流控制技术应用到前置放大电路，将有源伺服技术应用到超重低音电路，各具特色，LM3886功率放大芯片，功率大，效果好。
5) Power Magnifying
功率放大
1.
The main circiuts including digital PWM signals generator, microcontroller circiut, power magnifying circuit safeguarding circuit ,the dynamic matching and frequency tracking circiut are discussed in detail.
介绍了一种基于CPLD芯片的数字PWM超声波清洗电源的设计,其中包括数字PWM信号产生电路、单片机控制电路、功率放大电路、保护电路以及超声波电源与换能器的匹配和频率跟踪设计,并给出了系统软件设计流程。
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条