1) second successor
二级后继
1.
Based on investigations on the Chord algorithm, two concepts, "second successor" and"node cache".
本论文在对Chord算法深入研究下，改进其资源的查询策略，提出“二级后继”和“节点快表”的概念。
2) secondary relay
二次继电器，次级继电器
3) successor
[英][sək'sesə(r)] [美][sək'sɛsɚ]
后继
1.
This paper gives some basic properties of children and successors in the concept lattice.
给出了概念格中关于后代和后继的一些性质,利用这些性质,提出了一种生成所有概念及其序关系的算法。
2.
In his paper,we introduce timed automata and the algorithm of reachability analysis,and proposes an improvement algorithm of the basic successor algorithm.
本文介绍了时间自动机和可达性分析算法,并对可达性分析算法中的后继算法进行了改进。
4) succeed
[英][sək'si:d] [美][sək'sid]
继后
6) Indirect Inter-Relevant Successive Tress with Dual Arties
二元间接互关联后继树
补充资料：电子级二氯二氢硅
分子式： SiH2Cl2
CAS号：
性质：在室温和大气压力下是一种高可燃、腐蚀性有毒气体，阈限值-重量加权平均浓度(TLV TWA)未定，可采用氯化氢的TWA值，即5×10-6(ACGIH)。于21.1℃和大气压力下气体相对密度(空气=1)3.48；气体密度4.228kg/m3；液体密度1235kg/m3(21.1℃)，1188kg/m3(40.6℃)。沸点8.2℃。熔点-122℃。在空气中的可燃限4.1％～98.8％(体积)；自燃温度58℃。与水或水气接触迅速水解产生二氧化硅和盐酸。国外多采用三氯氢硅歧化法生产粗二氯二氢硅，精馏法提纯；也有用多晶硅厂尾气中提取二氯二氢硅的技术路线，经精馏、络合、终端吸附可制得高纯二氯二氢硅。二氯二氢硅主要用于多晶硅外延生长以及化学气相淀积二氧化硅和氮化硅。
CAS号：
性质：在室温和大气压力下是一种高可燃、腐蚀性有毒气体，阈限值-重量加权平均浓度(TLV TWA)未定，可采用氯化氢的TWA值，即5×10-6(ACGIH)。于21.1℃和大气压力下气体相对密度(空气=1)3.48；气体密度4.228kg/m3；液体密度1235kg/m3(21.1℃)，1188kg/m3(40.6℃)。沸点8.2℃。熔点-122℃。在空气中的可燃限4.1％～98.8％(体积)；自燃温度58℃。与水或水气接触迅速水解产生二氧化硅和盐酸。国外多采用三氯氢硅歧化法生产粗二氯二氢硅，精馏法提纯；也有用多晶硅厂尾气中提取二氯二氢硅的技术路线，经精馏、络合、终端吸附可制得高纯二氯二氢硅。二氯二氢硅主要用于多晶硅外延生长以及化学气相淀积二氧化硅和氮化硅。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条