1) Bandgap bowing parameter
能带弯曲参数
3) Band bending
能带弯曲
4) band bending region
能带弯曲区
1.
Surface electron escape probability and attenuation length are respectively revised considering the effects of incident photon energy,surface band bending region and surface barrier on photoemission.
在对NEA光电阴极体内及表面光电发射过程的分析基础上,考虑入射光子能量、表面能带弯曲区以及表面势垒对电子发射的影响,对表面逸出概率和电子衰减长度进行了修正,并利用积分法推导了NEA光电阴极的量子效率公式,其理论预测曲线与实验曲线基本一致,从而验证了修正公式的实用性。
5) energy band parameter
能带参数
1.
Energy gap and energy band parameters were determined by using cyclic voltammetry.
介绍了用循环伏安法确定导电聚合物能隙和能带参数的方法。
6) wake curvature parameter
尾迹弯曲参数
1.
To improve the prediction of the rotor s off-axis aerodynamic response,the wake distortion effect of maneuvering rotor was studied with the introduction of time-accurate wake curvature parameter(KR) into the maneuvering rotor model.
为改善对旋翼空气动力他轴响应的预测,在旋翼气动模型中引入时变的尾迹弯曲参数KR,以体现机动旋翼的尾迹畸变效应。
2.
The key to represent this effect is a time-accurate wake curvature parameter KR.
体现此效应的关键在于推出时变的尾迹弯曲参数KR。
补充资料：能带弯曲（bandbending）
能带弯曲（bandbending）
半导体能带图表示电子在原子周期势场中处于不同能量的能级上，电子能量与其所在的半导体的静电势成正比。显然，如果半导体中静电势到处都相同，则能带是水平的，即平带状态。反之，当半导体表面存在垂直的外加电场时，半导体中各处静电势就不同，则能带就相应地发生弯曲，称为能带弯曲。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条