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1)  2D Scatter plot
二维分布图
2)  a curve about two dimensional normal distribution
二维正态分布图
3)  bivariate distribution
二维分布
1.
Bivariate reversed failure rate and a class of bivariate distributions;
二维反向失效率和一类二维分布
4)  2-D wave spectrum
二维谱分布
5)  2D thermal distribution
二维热分布
6)  Two-Dimension Distribution of Velocity and Accleration
VA二维分布
补充资料:一维和二维固体
      某些固体材料具有很强的各向异性,表现出明显的一维或二维特征,统称为低维固体。其中包括:具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构(例如石墨夹层、NbS2等)的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层(例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层);薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ,二维导体AsF5的石墨夹层),低维半导体(例如一维的聚乙炔),低维超导体(例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层),低维磁体(例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层)等。
  
  当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
  
  近年来低维固体的研究取得了较快的发展,一个原因是许多有应用前景的新材料(例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等)具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
  
  一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的,在低温下要变为半导体或绝缘体,这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形,带电孤子没有自旋,中性孤子有自旋。理论上还预言,在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
  
  二维电荷系统(半导体表面的反型层或异质结)处于强外磁场中时,随着磁场的变化,霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数,RH是霍耳系数,e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应,其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
  
  对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序,从而也没有与该长程序相对应的相变(例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等)。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发(例如液氦薄膜中的涡旋流线,二维点阵中的位错等)引起的,在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对,当温度超过某临界温度后,束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋,与此对应的相变过程称为科斯特利兹-索利斯(Kosterlitz-Thouless)相变,简称K-T相变。
  
  1979年在液氦表面所吸附的单电子层中,观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵,证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言,它是目前最理想的二维固体。
  
  二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率,前者趋向于零,后者趋向于(这里n是电荷密度,m是粒子质量);对于屏蔽后的电势,前者是四极矩势,后者是指数衰减。
  

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