1) Defect feature
缺陷选择
2) defect-selective etching
缺陷选择性腐蚀
1.
And the defect-selective etching method combined with optical microscope and atomic force microscope(AFM)was carried out to study the mechanism of dislocation generation of GaN on PSS.
采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群;三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤。
3) flaws/feature extraction and selection
缺陷/特征提取及选择
4) default option
缺省选择
5) anaerobic selector
缺氧选择器
6) lack of option
选择权残缺
补充资料：点缺陷(见晶体缺陷)
点缺陷(见晶体缺陷)
point defect
点缺陷point defeet见晶体缺陷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条