1) zero-space-charge limit
zero-space-charge极限
1.
Zero-space-charge limit of the viscous quantum hydrodynamic model
粘性量子流体动力学模型的Zero-space-charge极限
2) Spaceguard
Space Guard
3) L-zero matrices
L-zero矩阵
1.
This paper investigated three kinds of widely used generalized inverses of matrices: they are {1,3} and {1,4} inverses,and generalized Bott-Duffin inverse of L-zero matrices.
研究矩阵的{1,3),{1,4}广义逆和对称L-zero矩阵的广义Bott-Duffin逆,这3种广义逆均在多个领域有广泛应用；得到了它们的新表达式和若干代数性质,并举例说明了它们在最小二乘解和极小问题解中的应用。
4) Hopf-zero bifurcation
Hopf-zero分支
5) Zero-gap
zero-带隙
6) limit
[英]['lɪmɪt] [美]['lɪmɪt]
极限
1.
A Discussion on Blow Performance Limit of Clutch Screw Presses;
离合器式螺旋压力机极限打击性能的讨论
2.
The Frmula Judging Method of Edge-turning Limit of Interior Holes;
内孔翻边极限的公式判定法
3.
The Limit of Human Performance in the Pole Vault;
人类撑杆跳高成绩的极限研究
补充资料：space charge region
分子式：
CAS号：
性质：与任何物体一样，半导体的表面状态与其本体不同。就电性质而言，半导体的表面将因载流子的分布与本体不同而形成空间电荷层，厚度一般约1μm。其本质与电解质溶液界面的分散双(电)层相同，只是名称不同而已。在空间电荷层内不同位置的电势分布也与本体不同。在能级图上可借助于能带的弯曲来表示它的形成。空间电荷层的特性对半导体器件和半导体电极的性质有很大的影响。
CAS号：
性质：与任何物体一样，半导体的表面状态与其本体不同。就电性质而言，半导体的表面将因载流子的分布与本体不同而形成空间电荷层，厚度一般约1μm。其本质与电解质溶液界面的分散双(电)层相同，只是名称不同而已。在空间电荷层内不同位置的电势分布也与本体不同。在能级图上可借助于能带的弯曲来表示它的形成。空间电荷层的特性对半导体器件和半导体电极的性质有很大的影响。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条