1) Au/Ge/SiO_2/p-Si structure
Au/(Ge/SiO_2)/p-Si结构
2) An/C60-Polymer/P-Si structure
Au/C_(60)-Polymer/P-Si结构
3) SiO_2/Si structure
SiO_2-Si结构
4) ZnO/SiO2/Si layered structure
ZnO/SiO_2/Si结构
1.
Using ZnO/SiO2/Si layered structure, the monolithic integration of SAW device with electronic circuit can be realized.
ZnO/SiO_2/Si结构的SAW滤波器因其能够和其它电路集成而在RF领域受到越来越多的关注。
5) Ge-dots/Si multilayered structure
Ge/Si量子点多层结构
6) Si-Ge device
Si-Ge异质结
补充资料：Au-Si surface barrier detector
分子式：
CAS号：
性质： 是一种基于固体电离作用、用于探测α粒子和β粒子的探测器。制作方法是在n型硅表面用化学方法进行蚀刻，使该表面发生自然氧化，产生大量空穴，形成p层，然后用蒸发方法在表面上淀积一层金作欧姆接触(即纯粹的电阻接触)。对重的带电粒子的能量分辨率约为10～20kev。
CAS号：
性质： 是一种基于固体电离作用、用于探测α粒子和β粒子的探测器。制作方法是在n型硅表面用化学方法进行蚀刻，使该表面发生自然氧化，产生大量空穴，形成p层，然后用蒸发方法在表面上淀积一层金作欧姆接触(即纯粹的电阻接触)。对重的带电粒子的能量分辨率约为10～20kev。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条