1) Asymptotically nonexpensive mappings
渐近非线性扩张映象
2) asymptotically nonexpansive mapping
渐近非扩张映象
1.
Weak and Strong Convergence Theorems of Common Fixed Points for Asymptotically Nonexpansive Mappings with Errors;
渐近非扩张映象公共不动点具误差的弱和强收敛定理
2.
Approximating Common Fixed Points of Asymptotically Nonexpansive Mappings with Errors;
渐近非扩张映象对公共不动点具误差的逼近问题
3.
A new implicit iterative process for a finite family asymptotically nonexpansive mappings in banach spaces;
Banach空间中有限族渐近非扩张映象的新隐迭代程序
3) asymptotically nonexpansive mappings
渐近非扩张映象
1.
The CKQ Method for Modified Ishikawa Iterative Sequences Involving Asymptotically Nonexpansive Mappings;
具渐近非扩张映象的修改Ishikawa迭代序列的CKQ方法
2.
Approximating to fixed points of asymptotically nonexpansive mappings in uniformly convex Banach spaces;
逼近一致凸Banach空间中渐近非扩张映象的不动点
3.
Let E be a uniformly convex Banach space satisfying Opial s condition,C be a nonempty closed convex subset of E,and T_1,T_2…,T_N:C→C be N asymptotically nonexpansive mappings with common fixed points.
设E是满足Op ial条件的一致凸Banach空间,C是E的非空闭凸子集,T1,T2…,TN:C→C是N个具有公共不动点的渐近非扩张映象。
4) asymptotically non-expansive mapping
渐近非扩张映象
1.
The stability problems with asymptotically non-expansive mappings in uniformly convex Banach spaces are identified.
在一致凸的Banach空间中,研究了渐近非扩张映象的稳定性问题,文中不要求定义域和值域有界;且使用了一种新的方法进行了定理的证明。
2.
Some necessary and sufficient conditions for strongly convergence of Ishikawa iterative sequence with random errors of fixed points for asymptotically pseudo-contraction mappings and asymptotically non-expansive mapping in real Banach spaces were given .
给出了实Banach空间中渐近伪压缩映象和渐近非扩张映象带随机误差的Ishikawa迭代序列强收敛于某不动点的充要条件,所得结果改进和推广了张石生、LiuQH等人的最新结果。
5) non-self asymptotically nonexpansive mappings
渐近非扩张非自映象
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条