1) Q-switched driver cuicuit
调Q驱动电路
2) modulator driver
调制器驱动电路
1.
One of the key components, modulator driver integrated circuit, is described in detail.
总结了国内外光纤通信用高速电路研究最新进展，并详细讨论了其中的关键器件——光调制器驱动电路。
3) drive circuit
驱动电路
1.
Drive Circuit Design of Power MOSFET for Control System of BLDC;
一种用于无刷直流电机控制系统的MOSFET栅极驱动电路
2.
The design of drive circuit of a LED display system;
LED显示屏系统驱动电路设计
3.
Design of the backplane CMOS drive circuit for TN-LCD;
一种TN-LCD背电极CMOS驱动电路的设计
4) driving circuit
驱动电路
1.
Design of piezoelectric ceramics needle picker and its driving circuit;
压电陶瓷选针机构及其驱动电路的设计
2.
Design of portable inverter for driving circuit;
便携式逆变器逆变控制驱动电路
3.
Analysis of IGBT damage under load fluctuation and optimal design of driving circuit;
负载波动下IGBT损坏分析及驱动电路优化设计
5) driver circuit
驱动电路
1.
Study on Driver Circuit of Micro Quartz Tuning Fork Gyroscope;
微石英音叉陀螺驱动电路分析
2.
The driver circuit design of NC step motor;
数控步进电机驱动电路的设计
3.
Optimization design and simulation analysis on high power GTO driver circuit;
大功率GTO门极驱动电路的优化设计与仿真分析
6) driving circuits
驱动电路
1.
Several cathode structures and working principle of field emission display and corresponding driving circuits are introduced in this paper.
介绍了几种不同阴极结构的场发射显示器工作原理及相应的驱动电路,分析并比较了二极管型和三极管型两种场致发射显示器的驱动电路,对新型场致发射平板显示器的理论研究具有参考意义。
2.
This paper mainly introduce its basic structure, working principle and driving circuits.
FED( Field Emission Display)是一种新型的平板显示技术 ,本文简要介绍了其基本结构、工作原理和驱动电路 ,并给出了一种在 FED开发过程中用于展示和分析显示屏的二极管结构的驱动电路。
3.
The basic structure, working principle and driving circuits has been introduced in this paper.
FED(FieldEmissionDisplay)是一种新型的平板显示技术,本文简要介绍了其基本结构、工作原理和驱动电路,并给出了一种在FED开发过程中用于展示和分析显示屏的二极管结构的驱动电路。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条