1) dressed-band approximation
缀饰带近似
1.
p perturbation method, the dressed bands of semiconductors have been investigated using the renormalized effective mass approximation, dressed-band approximation and exact Floquet matrix method.
最后,主要采用(?)微扰方法,并利用缀饰带近似、重整化有效质量近似、以及Floquet矩阵方法研究了激光缀饰下半导体三能带模型。
2) gray band approximation
灰带近似
1.
Based on a survey of various models and treatment methods for the calculation of radiative properties of gases, box model, which is similar to the gray band approximation of spectral band model, was applied to evaluate the gas properties.
研究表明 ,箱带模型与常用的统计窄带模型或指数宽带模型的灰带近似计算结果相比具有较好的准确性 ,且由于箱带模型具有简单、易于编程、计算速度快等优点 ,对一些较为复杂的工程计算问题是一种较好的可供选择的模型。
3) approximation subband
近似子带
1.
The watermark is embedded in the sections of second level approximation subband.
算法通过对小波域二层近似子带进行分段并实现水印嵌入。
4) bootstrap approximation
靴带近似
6) band approximation
谐带近似法
补充资料：沉淀缀饰
分子式：
CAS号：
性质：使某种物质在另一种物质中沿辐射损伤径迹沉淀从而显示出径迹的处理方法。
CAS号：
性质：使某种物质在另一种物质中沿辐射损伤径迹沉淀从而显示出径迹的处理方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条