1) Pressure-Resistance Effect
力阻效应
2) stress-impedance effect
应力阻抗效应
1.
The influence of anisotropic fields on stress-impedance effect in amorphous alloys;
各向异性场对非晶态合金应力阻抗效应的影响
2.
When a high frequency alternating current flows through the Co-based amorphous ribbon bended,there is obvious stress-impedance effect due to the stress.
通以高频交变电流的钴基非晶带在弯曲时,由于受到应力作用而具有显著的应力阻抗效应,实验中所用的材料是经过适当脉冲电流退火的钴基非晶合金薄带Co66。
3) giant stress impedance effect
巨应力阻抗效应
1.
Base on the measuring theory of the Giant Stress Impedance effect(GSI) and the definition of the Stain Gauge factor of the GSI materials(SGF), research on the structure and elements of the measuring system.
根据巨应力阻抗效应的检测原理以及巨应力阻抗材料应变因子的定义,对其检测系统的结构和工作原理进行了设计研究。
4) stress impedance effect
应力阻抗效应
1.
Stress impedance effects of FeCoSiB films deposited on flexible substrates;
柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应
2.
The stress impedance effect is studied for the Co66Fe4Cr2Si12B16 amorphous ribbons under bending strain.
对具有负磁致伸缩系数的Co66Fe4Cr2Si12B16非晶合金带在制备态下及经脉冲电流退火下的应力阻抗效应进行了研究。
5) the pile group?effect coefficient of the soil resistance
土阻力群桩效应系数
6) steric effect
位阻效应
1.
Taking advantage of the steric effect of nitrogen atoms in 2-methylpiperazine, selective monobenzoylate on the nitrogen atoms were investigated by five synthetic routes.
根据2-甲基哌嗪中N原子位阻效应的差异,研究了其选择性单酰化反应。
2.
Moreover,the steric effect and the regioselectivity in the synthetic process were also discussed.
本文先后经5步反应合成了新的荧光免疫试剂即标题化合物,并用NMR、IR、MS和EA表征了产物及部分中间体的结构,并对合成过程中的位阻效应及区域选择性进行了讨论。
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条