2) semiconductor heterojunction quantum dot
半导体异质结量子点
3) semiconductor heterojunction
半导体异质结
1.
Measurement of the valence band offset in semiconductor heterojunction ZnS_(0.8)Te_(0.2)/GaP by XPS;
用XPS测量ZnS_(0.8)Te_(0.2)/G_aP半导体异质结的价带偏移
4) semiconductor heterostructure
半导体异质结
1.
Numerical method has been used to analyze the opto-thermionic refrigeration process of semiconductor heterostructure.
以漂移扩散模型为基础,通过电流连续性方程和泊松方程自洽地计算出在外加正向偏压的条件下半导体内部的载流子分布情况,并在此基础上计算了阱内载流子的发光复合和俄歇复合,从而确定了半导体异质结量子阱光辐射热离子制冷的最优条件。
2.
An introduction of the background knowledge of the applications of semiconductor heterostructure on fast transistor and diode laser,and an introduction of the contribution made by Ж ? 抱¨乍妲拽猝唰?the 2000 Nobel Prize winner in physics.
介绍半导体异质结应用于快速晶体管、激光二极管的知识背景和 2 0 0 0年诺贝尔物理学奖获得者阿尔费罗夫的贡
5) double heterojunction semiconductor
双异质结半导体
补充资料：半导体异质结
半导体异质结
semiconductor heterojuction
bandaotly一zh一J一e半导体异质结(semieondueto:heterojune-tion)不同种半导体材料之间的接触都称为半导体异质结。异质结可分为两类:(1)反型异质结。由导电类型相反的两种不同的半导体材料形成。例如p型锗与n型GaAS所形成的异质结，记为p一n Ge一GaAS或(p)Ge一(n)GaAs。(2)同型异质结。由导电类型相同的两种不同半导体材料所形成，例如n一nGe一GaAs或(n)Ge一(n)GaAs。在异质结中有晶格失配存在，两种半导体材料交界面处产生悬挂键而引入界面态。 如果从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡只发生在几个原子距离范围内，则称为突变异质结;如果发生在几个扩散长度范围内，则称为缓变异质结。突变异质结能带图如图所示。能带图产生“跃变”、“尖峰”和“凹口”等能带突变。对异质结的电流输运机构可用多种模型来描述，如突变反型异质结的电流输运机构有扩散模型、发射模型和发射一复合模型等。这三种模型的电流、电压特性可总结为:(l)温度T一定时的电流密度为: ;~___，~皇竺一、 了ccexp(二吉二) 一丫‘甲KOT‘。一不兰、..兰次一一一一厂赢:…三务一 ab 突变异质结的能带图 a一n一p异质结必一n一n异质结式中叩为与异质结的各种物理性质有关的一个参数;V为电压，v;q是电子电荷，C(库仑);K。为玻耳兹曼常数;T为热力学温度K(开尔文);(2)电压v一定时，正向电流密度为Icce一心，:为一常数。其电流、电压特性可由J二Vm来表示，式中m妻1。而突变同型异质结的电流输运机构可由双肖特基二极管模型来说明。异质结能带的突变、形成异质结的两种半导体材料的禁带宽度、介电常数、折射率、吸收系数等物理参数的不同，使异质结表现出许多不同于同质结的性质。就异质结阻挡层特性来看，其重要性能有:(l)结上形成的能带“跃变”使少子的注入效率增高，起着电子和空穴的有效发射电极的作用。(2)能带的突变起着势垒的作用，挡住了另一边注入的载流子，可以观察到载流子的封闭注入效应。(3)在光或电场的作用下，可从界面上产生的定域态能级上激发产生载流子。(4)虽然是n一n或p一p同型异质结，但是通过适当地选择两种组合半导体材料的禁带宽度和电阻率，也可以使界面的扩散电势差有与p一n结相同的极性，能够具有多子控制型的整流作用。
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参考词条