1) impurities pinning
缺陷钉扎
2) pin
[英][pɪn] [美][pɪn]
钉扎
1.
Comparing with dielectric behavior of aged and de-aged ceramics and dielectric property dependence on time, a pin effect was i.
结合弛豫铁电体老化和退老化介电行为对比分析以及其恒温经时老化行为的研究,揭示出复合钙钛矿弛豫铁电体结构缺陷上的局域化电子和空穴,在内电场作用下,老化一段时间后,产生对称分布,对极化微区产生“钉扎”效应。
3) pinning
[英][pin] [美][pɪn]
钉扎
1.
It is concluded that the magnetic hardening of the magnet is due to the pinning of domain walls at grain boundaries and the Nd rich boundary phase that distributes homogeneously around some colonies composed of fine Nd2Fe14B grains.
通过对材料磁化过程的研究以及对其显微组织结构的观察分析,发现其矫顽力机制起源于畴壁挣脱主相Nd2Fe14B晶粒边界以及晶粒团边界富钕相的钉扎机制,其中富钕相对材料畴壁的钉扎是决定其矫顽力的关键因素。
2.
A model based on discreet element method was built to simulate the second-phase particle pinning effect on grain boundary movement.
用分离单元法模拟了单个二相粒子对运动晶界的作用,获得了存在粒子作用时晶界的运动过程和动态形貌,分析了多个粒子作用下的钉扎效果。
3.
It is found that the magnets exhibit domain wall pinning character.
利用VSM,对放电等离子烧结NdFeB磁体磁化和退磁过程及不同磁化场下的约化矫顽力与外场角度关系进行了研究,发现样品在外场作用下,磁畴壁被钉扎的特征;利用SEM的电子能谱研究了热处理过程对样品矫顽力的影响。
4) the disadvantage of fixed dallar exchange rate regime
钉住美元制的缺陷
补充资料：磁通钉扎理论
磁通钉扎理论
theory of flux pinning
C J tongd旧gzhal一Iun磁通钉扎理论(theory of flux pinning)非理想第l类超导体中的缺陷对于磁通线的钉扎作用及其对超导体性能影响的有关理论。非理想第l类超导体中的磁通捕获和磁滞现象以及其磁通线呈不均匀分布均表明，磁通线除了受到洛仑兹力几作用外，还受到来自存在于超导体中的缺陷的作用力，称之为钉扎力，缺陷称之为钉扎中心。钉扎力起源于磁通线位于超导相和缺陷处具有不同的能量，磁通线挣脱钉扎中心需要外界提供能量。钉扎力单个钉扎中心和一根磁通线的相互作用力称为微观力/，微观力可表现为吸引力，也可以表现为排斥力，决定于钉扎中心的性质。对于一个在磁通线芯子处的小的异相正常粒子、其体积为V，用G一L理论计算求得其最大元钉扎力尹p约为: 尹p下叫烤麟罕}佘{“’{卜分卜 2V2尹0几\“亡2/\“cZ/式中H·为外加场强;HCZ为上临界场;脚为真空磁导率;价。为磁通量子体为G一L参量。微观上一大的体积元△V内的作用力的统计平均值为宏观力，可分为线钉扎力几—每单位长度磁通线所受到的钉扎力，和体钉扎力Fp—单位体积中磁通线所受到的钉扎力。由矢量线性叠加，有 、(r，一菩。，，./n(r)△。 Fp(r)=、(r)几(r)式中△V为求和体积元，其中心位于州af‘:为作用在第i根磁通线上的钉扎力，等于每个钉扎中心作用在这根磁通线上的钉扎力f‘的矢量和;n(r)为磁通线密度。理论计算结果表明: 九 CCf‘苦这一结果说明:不论微观力f’，为吸引力还是排斥力，宏观力几均表现为吸引力，即钉扎中心对磁通线有钉扎作用。 钉扎中心和钉扎机制在常规(低温)超导体中，由于其相干长度较大，充当磁通钉扎中心的缺陷有位错、界面和沉淀相粒子。其相应的钉扎力形成机制有凝聚能机制(如非共格沉淀粒子)、内应力场机制(如位错)以及镜像力机制(如表面、界面和晶粒间界)。对于共格脱溶相而言，内应力场机制和凝聚能机制均有贡献。在高温氧化物超导体中，由于其相干长度较短，大尺寸的缺陷已不能成为钉扎中心。 比恩(Bean)模型和临界态利用磁通钉扎概念，为了解释宏观磁化现象，比恩于1964年提出磁通线向超导体内渗透过程的模型，称为比恩模型:随着外磁场H。的增加，在穿透层中不断地形成磁通线一在洛仑兹力作用下，磁通线向超导体内运动一磁通线受到钉扎中心的阻挡以及越过钉扎中心进一步向超导体内部渗透，直至达到下列条件时磁通线分布不再随时间变化。这些条件是:(l)在超导体内，各处的钉扎力和洛仑兹力相等，即Fp(r)一Fl(:)。(2)在紧邻穿透层的区域内，召(o)二刀r(H。)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条