1) dielectric response theory
介电响应理论
2) dielectric response
介电响应
1.
The dielectric response and high dielectric tunability in bilayers was investigated.
6O3(PZT)/SrTiO3(STO)双层异质外延结构铁电薄膜以及不受约束的双层薄膜的介电响应与调谐率进行了研究。
2.
The dielectric response of complex perovskite Pb(Mg_ 1/3Nb_ 2/3)O_3 with respect to temperature and frequency was measured and discussed around the temperature of dielectric permittivity maximum (T_m).
通过分析钙钛矿结构弛豫铁电陶瓷铌镁酸铅的复介电响应 ,探讨了其在弥散相变温区的弛豫特征及极性微区、铁电微畴的极化机制。
3.
The dielectric response of BST thin films were studied as a function of frequency and ambient temperature(from roon temperature to 500?℃) by employing impedance and modulus spectroscopy.
应用复阻抗谱和模量谱技术研究了BST薄膜的介电响应 ,实验结果表明 :BST薄膜的阻抗谱曲线是一个完整的半圆 ,且阻抗谱半圆存在压低现象 ,而与此对应 ,复阻抗和复模量的频谱曲线只存在一个峰值 ,表明BST薄膜的介电响应主要起源于样品的晶粒体行为 ,而晶粒边界以及电极与薄膜界面的贡献可以忽略 。
3) giant dielectric respon
巨介电响应
1.
The solid state reaction to synthesize giant dielectric response oxide CaCu_3 Ti_4O_(12) is studied.
研究了合成CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电响应氧化物的固相反应。
4) dielectric theory
介电理论
1.
This paper reviews the development of dielectric theory for head based relaxor ferroelectrics with complex perovskite structure.
本文综述了铅基复合钙钛矿型驰豫铁电体介电理论研究进
2.
The dielectric theory developed by Phillips, Van Vechten and Levine has been extended to complex crystals and lots of successful examples have proved the correction of the theory when we applied it to the calculation of chemical bond parameters and estimation of the macroscopic properties.
以Phillips、Van Vechten和Levine提出的二元晶体的介电理论为基础发展起来的复杂晶体化学键的介电理论,在定量计算组成晶体的原子及化学键的性质,进而预测材料的多种宏观性质方面获得了很大的成功。
5) Load-unload response ratio theory
响应比理论
6) linear dielectric response
线性介电响应
1.
The dielectric relaxor behavior and linear dielectric response of (Ba1-xCax)1-1.
05)陶瓷,研究了介电弛豫行为和线性介电响应。
补充资料：复介电常数
复介电常数
complex dielectric constant
倒￡“ED(t)=“(田)及cos田t+￡，，(留)凡sin山t(1)相角子，即式中:/(。卜会cos“(。)，:。(。卜会sin“(。)(2)tg占=损耗电流11_f充电电流Ic一万 (7)即在交变电场下，D(t)和E(t)的关系要用两个物理量口和了来表征。上式中，相位占和了、了都是频率的函数，且与温度和电介质结构密切相关。 D(t)可分解为两个分量:一个与E同相位，另一与E有90。相位差。如将上述关系用复数表示，且令君*=Eoe，“‘，D*=Doej(“一泞)，则刀‘与E*的关系可表示为 D*(t)=‘*(臼)E*(t)(3)在式中引入复数介电常数扩=了一j已，则 二(田卜;斜一会一‘一‘(田卜j一‘。，“， 静态时，。=0、占=0。即￡，，=O，式(3)可表示为D=二，(0)E，其中￡，(O)即为静态介电常数￡s。可见，g(。)是静态介电常数在交变场下的推广，e’(。)称为频率依赖的介电常数。 动态时，在真空电容器中，电流虽然超前电场二/2，但由于占=0，而不产生损耗;故在具有介电常数的电容器中，单位时间、单位体积中损耗的能量评，可由E及与E同相的电流分量。扩E的乘积表示，即]。“E图1电介质中交流电场E 与电流I的矢量图部和虚部表示，而弛豫时间为 根据复介电常数定 义，由式(4)并经简化 处理后可得 ￡*(臼)=￡‘(臼)一j￡“ 6二一己。/。、 t田】=E。十二~一，犷一一~气己少 1一」田T 上式称为德拜公式，用 来表征复介电常数的频 率特性。如将其分成实:时，则得已=昆+65一三.l+田2r2(￡。一氛)田T1十田2丁2 已，，tg口一=万，二 Q(‘s一几)田丁￡s+氛田2丁2 (9)(10)(11)W一晋DOEOS‘n“一晋“‘“一‘E’“‘g“(5，合(￡·l一(去‘一‘。210 10()四T由于了的变化不大，因而能量损耗与复介电常数的虚部已成正比。式(4)中了(动称为介质的损耗因子。式(5)中占称为介质损耗角，tg沙称为介质损耗角正切或介电耗散因子。 在交流电路中，若置介质于平板电容器中，并在两极间外加交流电压V V=Voej“。.，_L一~~，卜。尸。
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参考词条