1) spin relaxation time
自旋驰豫时间
2) spin spin relaxation time
自旋-自旋驰豫时间
3) spin lattice relaxation time
自旋-晶格驰豫时间
4) spin relaxation
自旋驰豫
1.
The influence of different growth conditions on electron spin relaxation time in GaAs/AlGaAs (111) quantum wells (QWs) grown by MBE has been investigated by room temperature photoluminescence spectra, time-resolved Kerr rotation spectroscopy(TRKR), low photoluminescence spectra.
然后本文利用不同工艺条件下在GaAs(111)衬底上生长GaAs时反射高能电子衍射强度振荡呈现单双周期变化的特点,找到了一种在GaAs(111)衬底上生长高质量量子阱的可行方法,运用时间分辨Kerr旋转谱、室温荧光光谱、低温荧光光谱、原子力显微镜等测量手段研究了不同生长条件对量子阱内电子的自旋驰豫的影响。
5) Relaxation time
驰豫时间
1.
Effects of memory kernel on relaxation time of a bistable system driven by cross-correlated noises;
记忆核对关联噪声驱动的双稳系统驰豫时间的影响
2.
The results shows, scattering light relaxation times of young red cell membranes are shorter than those of old red cell membranes; relaxation times of scattered light from cortex cell membranes of mice become longer after adding β/A4 amyloid peptide.
较新生红细胞膜的散射光驰豫时间比老红细胞短。
3.
, the first-order moments, the second-order moments, the cross-correlation functions and the self-correlation functions as well as the relaxation time have been calculated.
在绝热近似下获得了q的含时解;计算了q,p的一阶矩、二阶矩、交叉关联函数、自关联函数及其驰豫时间;求出了布朗束缚振子的平均第一通过时间。
6) relaxation spectra
驰豫时间谱
1.
Research on determining permeability with induced polarization relaxation spectra;
利用激发极化驰豫时间谱确定渗透率的实验研究
补充资料：自旋-自旋弛豫时间
自旋-自旋弛豫时间
磁共振成像术语。磁共振成像中，自旋-自旋弛豫(T2弛豫)的时间常数。其值定义为垂直于外磁场方向的磁化矢量衰减到其初始值的37%时所需的时间。T2弛豫时间一般较T1弛豫时间为短，它与组织的存在状态有关，固态组织的T2较短，液态组织的T2较长。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条