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1)  magnetic induction impedance tomography
磁感应电阻抗断层成像
2)  magnetic induction tomography
磁感应断层成像
1.
Precise synchronous phase measurement method in magnetic induction tomography
磁感应断层成像中的一种高精度同步相位测量方法
2.
Simulated Image Reconstruction of Magnetic Induction Tomography on Simple Head Model
在简单头模型上的磁感应断层成像仿真图像重建
3.
Objective To solve the eddy current problem or the forward problem in magnetic induction tomography(MIT).
目的为了求解磁感应断层成像(magnetic induction tomography,MIT)技术中的涡流问题,以获得MIT正问题的有效解法。
3)  MIT [mit]
磁感应断层成像
1.
Magnetic induction tomography(MIT)is a new imaging technique of conductivitytomography.
磁感应断层成像(Magnetic induction tomography,MIT)是一种新的电阻抗断层成像技术。
4)  Electrical impedance tomography
电阻抗断层成像
1.
Electrical impedance tomography measuring gastric emptying and gastric motility;
电阻抗断层成像与胃排空和胃动力检测
2.
A visualization method for reconstruction data of electrical impedance tomography;
一种电阻抗断层成像重建数据的可视化方法
3.
Design of a current source with high stability for brain electrical impedance tomography system;
用于脑部电阻抗断层成像的高稳定性恒流源的设计
5)  EIT
电阻抗断层成像
1.
Electrical impedance tomography (EIT) is a new type of technique with the feature of harmless, non-invasive and convenience, developed in recent years.
电阻抗断层成像(EIT)技术是近年来发展起来的基于生物组织电学特性的、无损的、价格低廉的新一代功能成像技术。
2.
Electrical Impedance Tomography (EIT) as a new technology of medical imaging was started from 1970s.
电阻抗断层成像(Electrical Impedance Tomography,EIT)作为一种新的医学成像技术研究始于20世纪70年代。
3.
EIT can detect the pathological changes even if the changes of the biological function have not emerged.
电阻抗断层成像技术(Electrical Impedance Tomography,EIT)是近些年发展起来的一种新型成像技术。
6)  induced current magnetic resonance electrical impedance tomography
感应电流磁共振电阻抗成像
补充资料:磁感应强度
磁感应强度
magnetic induction
    描述磁场强弱和方向的基本物理量。是矢量,常用符号B表示。
   点电荷q以速度v在磁场中运动时受到力f   的作用。在磁场给定的条件下,f的大小与电荷运动的方向有关 。当v 沿某个特殊方向或与之反向时,受力为零;当v与此 特殊方向垂直时受力最大,为fmfm与|q|及v成正比,比值 !!!C0984_1与运动电荷无关,反映磁场本身的性质,定义为磁感应强度的大小,即!!!C0984_2B的方向定义为:由正电荷所受最大力fm的方向转向电荷运动方向 v   ,右手螺旋前进的方向 。定义了B之后,运动电荷在磁场 B 中所受的力可表为 f  qv×B,此即洛伦兹力公式。
   除利用洛伦兹力定义B外,也可以根据电流元Idl在磁场中所受安培力dfIdl×B来定义B,或根据磁矩m在磁场中所受力矩Mm×B来定义B,三种定义,方法雷同,完全等价。
   在国际单位制(SI)中,磁感应强度的单位是特斯拉,简称特(T)。在高斯单位制中,磁感应强度的单位是高斯(Gs ),1T=104Gs。由于历史的原因,与电场强度E对应的描述磁场的基本物理量被称为磁感应强度B,而另一辅助量却被称为磁场强度H,名实不符,容易混淆。通常所谓磁场,均指的是B
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参考词条