3) migratory growth
迁移增长
4) mobility enhancement
迁移率增强
1.
At room temperature,the strained-Si n-MOS- FETs show a significant mobility enhancement of～87% over S.
在室温下,相对于体硅器件,应变硅器件表现出约87%的低场电子有效迁移率增强,在相同的过驱动电压下,饱和漏端电流增强约72%。
5) migrating plasticizer
迁移增塑器
6) mobility enhancement
迁移率增加
补充资料：Queyrat红斑增殖病
Queyrat红斑增殖病
病 名。即红斑增殖病。由Queyrat氏于1911年首次描述本病，故名。详见该条。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条