1) relatively nonlinear measure
相对非线性测度
2) relativistic nonlinearity
相对论性非线性
3) nonlinear measure
非线性测度
1.
Dynamic stability of robotic multi-fingered grasping based on nonlinear measure;
基于非线性测度的机器人抓取动态稳定性
2.
The nonlinear measure approach is employed to analyze the existence and uniqueness of an equilibrium.
运用非线性测度方法证明了神经网络平衡点的存在性和惟一性,接着通过构造一个新颖的Lyapunov泛函,得到了神经网络指数稳定的全新充分条件,并给出了解的指数衰减的精确估计。
3.
A concept nonlinear measure was introduced to analyze global and local exponential stability of neural networks.
提出了一种非线性测度 ,利用这种非线性测度研究了一类神经网络的局部指数稳定性和全局指数稳定性 。
4) relative nonlinear error
相对非线性误差
1.
The improved instrument reduced the relative nonlinear error and raised the sensitivity of the apparatus.
根据非平行矩形板电容器测量弹性模量的实验原理,提出了用非平行矩形板电容器测量金属线胀系数,并对实验装置进行了改进,提高了实验的灵敏度,降低了相对非线性误差。
5) related attribute measure
相对属性测度
1.
Based on the attribute measure, the concepts of related attribute measure and attribute judgment matrix are presented.
在属性测度基础上 ,提出了相对属性测度和属性判断矩阵 ,并由属性判断矩阵构成相对权重和合成权重。
2.
Based on attribute measure,the concepts of related attribute measure and attribute judgment matrix are presented.
在属性测度基础上，提出了相对属性测度和属性判断矩阵的概念。
6) measure of nonlinear operator
非线性算子测度
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条