1) Interfacial phase micro-void
相界面分离孔
2) interface micro-void
相界面孔
1.
A membrane with interface micro-voids was prepared by melt spinning-drawing process and its structure was investigated thoroughly.
针对以聚丙烯腈为分散相、以高形变性和高回复性的热塑性聚氨酯为基质相的共混物,讨论其相容性、可纺性和拉伸致孔性,并在测试分析的基础上,深入研究了经熔融纺丝—拉伸制成的具有相界面孔分离膜的共混结构。
3) interface debond
界面分离
1.
Plane axial symmetrical FEA models of single-fiber and multi-fiber are set up,which investigate stress transfer property accompanied by matrix crack,interface debond and simultaneous occurrence of matrix crack and interface debond.
本文建立了单纤维和复合物纤维平面拉伸轴对称有限元模型 ,它考察了纤维拉伸时伴随基体破裂、界面分离以及基体破裂与界面分离同时发生时的应力传递特性 ,计算结果给出具有参考价值的有益结
4) phase contact(ing) area
相分界面
5) Disjoining Pressure of Interfaces
界面分离压
6) interphase boundary
相间分界面
补充资料：陶瓷表面、界面和界相
陶瓷表面、界面和界相
eeramie surfaee inter-faCeafldinterPhase
陶瓷表面、界面和界相。eramiC Surfaee inter-face and interphase任何固体材料都有表面。表面的结构和原子排列决定能量状态，因而影响材料的性能，尤其是电性能和光学性能，并决定材料是否具有催化性能。利用一些陶瓷表面结构与湿度的密切关系，可制成湿度探测器。如用多孔氧化铝膜制造成的湿度探测器，被探测的水气通过可渗透的顶部金质电极在多孔A12O3壁上达到平衡，这一情形改变结构通道，因而具有表面电导性能。 表面科学必然涉及界面问题。晶界是多晶材料(陶瓷是一种典型的多晶材料)中最常见的界面现象。作为多晶材料中分割晶粒的界面，可看成材料从一个晶粒向另一个晶粒的结构过渡形式。晶界的宽度一般为原子间距的数量级，可认为是二维和三维的中间状态。晶界的化学成分，尤其是杂质的成分，影响陶瓷材料的强度，特别是高温强度、蠕变性能、硬度等。晶界组成可影响陶瓷材料的烧结机理属性、晶粒的重结晶，并改变晶界的相变。在功能陶瓷中，如电容器陶瓷、正温度系数(PTC)陶瓷等，晶界在调节材料的性能上是重要的因素。对于很多材料，要求晶界尽量“清洁”，即没有杂质和第二相。对于半导体材料，由于晶界的存在产生悬键，从而给出具有扰动特性的空域能带。若有杂质富集，将改变能带状态，因此这类材料需要清洁晶界。材料界面中薄膜和底材之间形成的界面所产生的缺陷，对半导体材料电性能影响很大，因此制备时要加以控制。 随着界面问题的深入研究，以及多相体系在材料中的日趋重要，又提出了界相这一概念。所谓界相是指不同相之间的界面。在多相复合陶瓷中，有纤维或晶须与母相之间、有两相弥散与母相之间、有两个或多个主晶相之间，以至在陶瓷相与金属相、陶瓷相与高分子相之间的界相问题。它们在化学上的相容、在物理上的匹配，以及结合性状和显微结构，均为这类陶瓷材料的设计提供了有用的信息和依据。‘ (温树林)
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参考词条