1) nonlinear dust-ion-acoustic wave
非线性尘埃离子声波
2) Nonlinear Acoustic Waves
非线性静电离子声波
1.
Analytical Method in the Study of Nonlinear Acoustic Waves in the Magnetized Plasma of Solar Wind, Part Ⅰ;
本文从MHD方程组出发，推导了太阳风磁化等离子体中非线性静电离子声波孤立于传播的非线性控制方程，从而得到了扰动位势的解析解。
3) dust acoustic waves
尘埃声波
1.
By using the reductive perturbation technique,we obtained a nonlinear Schrdinger equation for dust acoustic waves in dusty plasma with many different dust grains.
运用约化摄动法,得到了描述含有多种不同尘埃颗粒的等离子体中尘埃声波的非线性薛定谔方程(nonlin-ear Schr dinger equation),并研究了尘埃颗粒满足PLD分布时尘埃声波的调制不稳定性。
2.
The reductive perturbation method is used to study the propagating characters of(2+1) dimensional dust acoustic waves in a dusty plasma with nonthermal ions.
运用约化摄动方法研究了尘埃等离子体中离子呈现非绝热分布状态时(2+1)维尘埃声波的基本传播特性,得到了描述尘埃声波运动的Kadomtsev-Petviashvili(KP)方程。
4) dust acoustic wave
尘埃声波
1.
Dispersion relation for the dust acoustic wave in a magnetized dusty plasma consisting of different particles;
不同颗粒组成的磁化尘埃等离子体中尘埃声波的色散关系
2.
Using the reductive perturbation method,a modified KdV(mKdV) equation is obtained,which describes the dust acoustic waves in a hot dust plasma with dust charge variation,non-thermal distributed ions and Boltzmann distributed electrons.
使用约化摄动法得到了描述含有尘埃颗粒电荷变化、非热力学平衡离子和玻尔兹曼分布的电子的热尘埃等离子体中尘埃声波修正的KdV(mKdV)方程。
5) dust-acoustic wave
尘埃声波
1.
First, we obtained a KdV equation that governs the behavior of small but infinite amplitude dust-acoustic waves.
首先,我们得到了描述有限小振幅的尘埃声波的KdV方程,并对该系统中尘埃声波模式进行了研究。
6) dust acoustic solitary wave
尘埃声孤波
1.
By using the reductive perturbation method, we derived a (3 +1) dimensional Kadomtsev-Petviashvili equation which describes the dust acoustic solitary waves in a hot dusty plasma with non-thermal distributed ions and variable dust charge under the weakly transverse perturbations.
文章研究了弱横向扰动下的含有非热离子、尘埃颗粒电荷变化的热尘埃等离子体,利用约化摄动法得到了描述尘埃声孤波的(3+1)维Kadomtsev-Petviashvili方程。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条