2) controller card
控制器插件
3) rapid control rod insertion
控制棒快速插入
4) Characteristic control plug-in board
特性控制插件
5) Control/Fanout module
控制/扇出插件
1.
The design and test of VME Control/Fanout module of Muon Counter Electronics System of BESIII;
BESIII Muon鉴别器电子学系统的VME控制/扇出插件的设计和测试
2.
This paper describes the development of the VME Control/Fanout module of Muon counter for BESⅢ.
本文介绍了BESⅢ Muon鉴别器VME控制/扇出插件的研制。
6) single card controller
单插件控制器
补充资料:钠冷快中子增殖堆控制
钠冷快中子增殖堆控制
control of sodium-cooled fast breeder reactor
noleng kualzhongz}zengzhldu一kongzh-钠冷快中子增殖堆控制(eontrol of sedium-eooled fast breeder reaetor)指对钠冷快中子增殖堆的功率进行控制,使其与核电厂的愉出功率相匹配,并对中间回路和燕汽回路进行调节以维持核电厂给定的运行参数。整套控制设备中应设有安全保护系统,使在事故情况下能停闭反应堆。 反应性控制系统通过拉制捧来改变快中子增殖堆的反应性,以维持堆的功率或改变堆的功率。该系统同时用来补偿瞬时的或长期的反应性变化,如温度效应、缸毒和燃耗等,使反应堆保持在临界状态。快中子增殖堆不同于热中子反应堆,快中子堆的中子平均能t相当高,中子射程长,中子寿命短,从而在控制方法和控制性能方面有其本身的特征:①对反应性控制,除采用与热中子反应堆类似的吸收中子的控制棒外,还可通过对堆芯中子反射层的控制,改变中子泄漏量来实现反应性控制;②所用的控制捧数目比热中子反应堆的少,③由于快中子堆内缓发中子份颊小,快中子增殖堆容易达到瞬发临界,因此用于调节中子注量率水平的控制棒价值应较小;④由于快中子堆内中子射程长,堆芯中子注t率分布畸变较小。 快中子堆的反应性控制性能表现在控制棒数目、棒驱动行程和安全棒落棒时间等方面,表中示出不同国家快堆的控制棒性能. 热能动力系统控制由于钠冷快中子增殖堆有三 快中子增班堆控侧棒性能衰┌────┬─────┬────┬─────┬─────┐│ 国别 │ 美国 │ 法国 │ 苏联 │ 日本 ││(堆名) │(E .Fermi)│(Phenix)│(BH一350) │(常阳) │├────┼─────┼────┼─────┼─────┤│堆热功率│200 │625 │1000 │100 ││ (MW) │ │ │ │ │├────┼─────┼────┼─────┼─────┤│控钊棒 │调节棒2根 │总数8根 │控制棒8根 │控制棒3根 ││ │安全棒8根 │ │安全棒3根 │安全棒3根 │├────┼─────┼────┼─────┼─────┤│棒取动 │1 .37 │l │1 .26 │0 .9 ││行租(m) │ │ │ │ │├────┼─────┼────┼─────┼─────┤│落棒时问│0 .9 │0.6 │0 .7 │小于1 ││ (s) │ │ │ │ │└────┴─────┴────┴─────┴─────┘条回路:主回路、中间回路和蒸汽回路。对应于每条回路,有不同的控制。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条