2) surface barrier
表面势垒
1.
This paper analyses the metal surface barrier and the work function with quantum theory,so that it supplements the defects of the ordinary teaching material about this problem.
本文运用量子理论对金属表面势垒及逸出功进行了分析，从而弥补了一般大学物理教材中在此问题上的不足之
2.
The value of surface barrier height of nanocrystalline and cast SS304 are 19.
42eV,并通过量子力学理论计算得到块体纳米晶304不锈钢和铸态304不锈钢的表面势垒高度分别为19。
3) surface potential barrier
表面势垒
1.
By calculating the energy distribution of electrons reaching the photocathode surface and solving the Schrdinger equation that describes the behavior of an electron tunneling through the surface potential barrier,we obtain an equation to calculate the emitted electron energy distribution of transmission-mode NEA GaAs photocathodes.
通过计算电子到达阴极面时的能量分布和求解电子隧穿表面势垒的薛定谔方程得到了透射式NEA GaAs光阴极发射电子能量分布的计算公式。
4) interface barrier
界面势垒
1.
Study on interface barrier between Au contact and p-CZT;
Au与p-CZT接触的界面势垒研究(英文)
5) interface barriers
界面势垒
1.
The influences of applied bias and interface barriers on carriers recombination and its efficiency are discussed.
在Fowler Nordheim的隧穿理论基础上 ,建立了高场下单层有机EL器件复合发光的理论模型 ,讨论了电场强度以及界面势垒对单层有机EL器件发光的影响 。
2.
The influences of applied bias and interface barriers on carriers recombination and its efficiency are calculated and discussed.
计算并讨论了所加电压与界面势垒对器件的复合电流及其复合效率的影响 。
6) surface barrier
表面势垒，表面位垒
补充资料：金-硅面垒探测器
分子式：
CAS号：
性质： 是一种基于固体电离作用、用于探测α粒子和β粒子的探测器。制作方法是在n型硅表面用化学方法进行蚀刻，使该表面发生自然氧化，产生大量空穴，形成p层，然后用蒸发方法在表面上淀积一层金作欧姆接触(即纯粹的电阻接触)。对重的带电粒子的能量分辨率约为10～20kev。
CAS号：
性质： 是一种基于固体电离作用、用于探测α粒子和β粒子的探测器。制作方法是在n型硅表面用化学方法进行蚀刻，使该表面发生自然氧化，产生大量空穴，形成p层，然后用蒸发方法在表面上淀积一层金作欧姆接触(即纯粹的电阻接触)。对重的带电粒子的能量分辨率约为10～20kev。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条