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1)  columned arc
电弧圆柱体
2)  piezoelectric solid cylinder
压电圆柱体
1.
Dynamic focusing effect and response histories of piezoelectric solid cylinders subjected to impact pressures on the external boundary;
压电圆柱体在冲击外力作用下动应力与瞬态电势的动态效应和响应历程
3)  harp [英][hɑ:p]  [美][hɑrp]
圆柱耗电体
4)  dielectric cylinder
介电圆柱体
5)  arc [英][ɑ:k]  [美][ɑrk]
圆弧电弧
6)  cylinder [英]['sɪlɪndə(r)]  [美]['sɪlɪndɚ]
柱;圆柱体
补充资料:横向磁场中的空心超导圆柱体(hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield)
横向磁场中的空心超导圆柱体(hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield)

垂直于柱轴(横向)磁场H0中的空心超导长圆柱体就其磁性质讲是单连通超导体。徐龙道和Zharkov由GL理论给出中空部分的磁场强度H1和样品单位长度磁矩M的完整解式,而在`\zeta_1\gt\gt1`和$\Delta\gt\gt1$条件下为:

$H_1=\frac{4H_0}{\zeta_1}sqrt{\frac{\zeta_2}{\zeta_1}}e^{-Delta}$

$M=-\frac{H_0}{2}r_2^2(1-\frac{2}{\zeta_2})$

这里r1和r2分别为空心柱体的内、外半径,d=r2-r1为柱壁厚度,ζ=r/δ(r1≤r≤r2),Δ=d/δ,δ=δ0/ψ,δ0为大样品弱磁场穿透深度,ψ是有序参量。显然此时H1→0,M→-H0r22/2,样品可用作磁屏蔽体。当$\zeta_1\gt\gt1$,$\Delta\lt\lt1$时,则

H1=H0/(1 ζ1Δ/2),
M=-H0r23[1-(1 ζ1Δ/2)-1]。

若$\zeta_1\Delta\gt\gt1$,则$H_1\lt\ltH_0$或H1≈0。所以,虽然$d\lt\lt\delta$,但磁场几乎为薄壁所屏蔽而难于透入空心,称ζ1Δ/2为横向磁场中空心长圆柱体的屏蔽因子。当$\zeta_1\Delta\lt\lt1$时,则H1≈H0,磁场穿透薄壁而均进入空腔,失去屏蔽作用,此时M≈0。类似于实心小样品,由GL理论可求出薄壁样品的临界磁场HK1,HK,HK2和临界尺寸等。

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