2) Drive power
驱动功率
1.
According to the working principal of the vacuum fixed type vacuum belt filter,we draw out calculating formula of the drive power and the tension of the urbber belt.
根据固定室带式真空过滤机的工作原理 ,推导出驱动功率、胶带的张力的计算公式。
3) driving power
驱动功率
1.
Analysis of bearing force and driving power calculation of three rollers veneer reeling machine of symmetrical type;
对称式三辊卷板机的受力及驱动功率计算分析
2.
Calculation of driving drag torque and driving power for mixing drum of cement concrete transfer vehicles;
混凝土搅拌输送车拌筒驱动阻力矩和驱动功率的计算
3.
Super-high fire rate external power Gatling gun needs a huge of driving power,and it has the problem of weapon applicability.
外能源超高射速转管炮所需驱动功率巨大,存在武器适用性问题。
4) pushing power
驱动功率
1.
This paper introduces the calculation method for pushing power of crawlertraveling unit of spreader,and gives some keeping regulations for taking motors according to actual design and working experience.
介绍排土(岩)机履带行走装置驱动功率确定方法,并结合实际工作经验,提出了电机选型应遵循原则。
5) Power Drive
功率驱动
1.
The driver is composed of control circuit based on L297,power drive circuit which consists of discrete transistors and power MOSFETs,and high-frequency switching power supply circuit using SI9114A.
开发了以单片步进电机控制器L297为控制核心,采用由晶体三极管和功率MOS管组成的分立式的功率驱动电路,以及以单片电流型脉宽调制(PWM)控制器SI9114A为核心的高频开关电源电路构成的通用新型两相混合式步进电机驱动器。
2.
For purpose of solving foregoing drawbacks,a power drive and current signal detection circuit used in saving energy device of three phase asynchrony motor was designed,and the operation principle was clarified in detail.
针对当前三相异步电动机调压节能装置驱动电路复杂、电流过零点检测困难等问题,设计了一种三相异步电动机调压节能装置的功率驱动及电流过零点检测电路,阐述了其工作原理,通过实验对设计的合理性进行了验证。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条