1) the current and voltage
瞬态电流电压
3) transient current
瞬态电流
1.
Simulation study on transient current control of four quadrant converter;
四象限变流器瞬态电流控制的仿真研究
2.
An off-chip and charge-based transient current monitor circuit is presented.
瞬态电流(IDDT)测试经常被看作是静态电流(IDDQ)测试的替代或补充,特别在深亚微米技术中,受到越来越多的关注。
3.
This paper proposed a new algorithm for transient current test(IDDT) generation.
针对瞬态电流测试提出了一种测试产生算法。
4) Transient photovoltage
瞬态光电压
1.
Transient photovoltage(PV) technique was applied to investigate the separation and the transport mechanism of the photo-induced charge carriers on nano-TiO_ 2 film electrode.
本文利用瞬态光电压技术对纳米TiO2薄膜电极进行了研究,发现光生电荷在TiO2/ITO界面是在自建场作用下分离和传输的,电子注入ITO电极而空穴移向TiO2薄膜体相,即在TiO2/ITO界面存在一个从TiO2到ITO向下弯曲的带弯。
2.
The magnitude, polarity and response time of the transient photovoltage are found to be dependent on the intensity and wavelength of the incident light.
报道了Ａｌ／α－ＳｎＰｃ／ＩＴＯ夹心结构的瞬态光电压随入射光强度和波长变化的演变特性和稳态连续光照射下的光电压作用光谱。
5) transient over-voltage
瞬态过电压
1.
The occuring reasons of transient over-voltage and the harm to electronic equipment were analyzed.
分析了瞬态过电压的产生原因以及对电子设备的危害,讨论了自动化系统的防雷问题。
2.
Based on the standards of products and installation related to power distribution system at home and abroad,the importance of transient over-voltage protection in terminal power distribution system was analyzed.
结合国内外相关配电系统安装及产品标准,分析了终端配电系统中瞬态过电压防护的重要性,以及造成终端配电系统中瞬态过电压的原因。
6) transient photocurrent
瞬态光电流
1.
Numerical solution of transient photocurrent in ionizing radiated MOS device;
MOS器件电离辐照瞬态光电流的数值解
2.
TiO 2 nanoparticles were synthesized by the forced hydrolysis of TiCl 4 in an aqueous solution, and the transient photocurrent properties of this TiO 2 nanocrystalline thin film electrode were studied in different electrolytes.
采用 Ti Cl4 水解法制备 Ti O2 纳米微粒 ,并研究这种微粒形成的纳米晶薄膜电极的瞬态光电流特性 。
补充资料：电力系统特快速瞬态过电压
电力系统特快速瞬态过电压
very fast transient over voltage in electric power system,VFTO
后才能熄灭，结束一次重嫌过程。随着触头距离的不断加大，击穿电压增加，过电压幅值也逐渐增大，一直到触头间的电压不再超过击穿电压时结束重嫌过程。图中Um为最大过电压幅值。┌─────┬─────────┐│灿头分开 ├─────┐/r/ ││ l │、一厂 │ ││ l │ 、 │ ││瓜笋粉 │ 、 │ ││ │ 、 │ ││ │ 、 │ ││ │ 、│ │└┬────┼─────┼───┤ │/ │ │ I │ └────┘ │ I │ │， │ │I │ └───┘ 特快速瞬态过电压产生的示意图 隔离开关触头运动速度较低，一次操作过程中有可能发生数十次甚至数百次重嫩过程。类似的特快速瞬态过程也可在GIS隔离开关合小电容电流时产生。 VFTO一般不超过2.op.u.，有的可达2，5 p.u.，极少达到3.0 p.u.。VFTO水平的平均值，一般低于雷电冲击耐受水平.对采用GB3ll.1一1997和IEC71一1(1993)标准规定的倾定绝缘水平的缺陷的Gls绝缘不起周值作用. 特快速瞬态过电压的波前陡度与隔离开关触头间的电场均匀程度、电极间隙距离、气体性质和压力大小以及Gls的结构等因素有关。一般其初始前沿在3~Zoon，之间。GIS中SF。气体具有很高的绝缘强度，触头间的击穿距离相对较小，这种情况下发生击穿时，触头两端电压可在数纳秒时间内突然下降，使注入的阶跃波具有极高的陡度。 实际隔离开关操作多次重嫌引起的整个瞬态过程是由GIS中各不同节点的折射波和反射波的盛加而形成的，过电压波形要比上述的更为复杂。 特快速过电压对Gls内部绝缘的影响与SF。气体在陡波作用下的绝缘耐受能力有关。陡波前过电压的波前时间以纳秒计，比标准蓄电冲击波的小得多。SF‘气体在陡波前过电压作用下的绝缘性能还与波的极性有关，而且击穿电压的分散性很大。对于有缺陷的SF。绝缘系统，可能由于电极表面凹凸不平造成电场不均匀，在这种情况下绝缘耐受陡波前过电压的能力将下降很多。
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参考词条