1) Breakdown Simulation
击穿模拟
2) breakdown model
击穿模型
1.
A unified breakdown model of SOI RESURF device with uniform,step,or linear drift region doping profile is firstly proposed.
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型 。
3) fitting simulation
模拟试穿
1.
The computerized flat knitting machine in external usually equits with a well-developed pattern preparation system, including fabric structure simulation, knitted sweater pieces simulation, fitting simulation and so on.
国外的电脑横机一般都配有比较完备的花型准备系统，包括织物组织模拟、羊毛衫衣片模拟以及模拟试穿等，但是这些花型准备系统一般需要专用的计算机及针织机械，并且常常配套出售。
4) electrical discharge model
电击穿模型
1.
Micro-arc oxidation mechanism and electrical discharge model;
微弧氧化机理及电击穿模型
6) simulation attack
模拟攻击
1.
Through deep analysis on "CAMPAS" hole, a method of simulation attack based on remote network scanning was advocated.
在对campas漏洞深入分析的基础上 ,给出了一种基于远端网络扫描原理的模拟攻击方法 。
补充资料：pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。
击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条