1) NDR
负阻器
2) negativeresistance device
负阻器件
1.
Introduces a type of negativeresistance device constructed by integrated complementary JFET structure, and analyses its temperature property, then puts forward reference for designing negativeresistance device that has stable temperature property.
介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件 ,并且对该负阻器件的温度特性进行了分析 ,为设计具有温度稳定性的负阻器件提供了有益的参
3) three terminal negative resistance device
三端负阻器件
4) photo electronic negative resistance device
光电负阻器件
5) silicon photo negative resistance device
硅光电负阻器件
1.
A new type of photo isolator has been developed by packing light emitting devices with silicon photo negative resistance devices face to face to realize electrical isolation.
将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起 ,其间实现电隔离 ,构成一种新型光耦合器。
6) bidirectional "S" negative resistance device
双向“S”型负阻器件
补充资料：负阻振荡器
用负阻器件和LC谐振回路构成的正弦波发生器。由于负阻器件与谐振回路的连接只需两个端点，所以又称二端振荡器。
负阻器件的伏安特性曲线如图1a。在特性曲线的ɑ～b区段内，当电压增大时电流反而减小，即电压增量墹u=u2-u1是正值时，电流增量墹i=i2-i1是负值,所以在这一区段内负阻器件的动态电阻R为负值，即
R＝墹u/墹i＝－|墹u|/|墹i|
负阻不但不消耗交流功率，而且还向与它相连接的外电路供给交流功率。
负阻器件有两类。①电压控制型：其特点是电流为电压的单值函数，而电压却不是电流的单值函数。这种器件的伏安特性曲线形状如字母N（图1a），故又称N型负阻,隧道二极管等具有这种特性。②电流控制型:其特点是电压为电流的单值函数,而电流却不是电压的单值函数，其伏安特性曲线的形状如字母S（图1b），故又称S型负阻，双基极二极管等具有这种特性。
负阻器件与谐振回路连接的方式有二。一为电流控制型负阻器件与串联谐振回路相连接,如图2的双基极二极管负阻振荡电路。一为电压控制型负阻器件与并联谐振回路相连接,如图3的隧道二极管负阻振荡电路。
在负阻振荡器中，只要负阻所提供的功率大于外电路（谐振回路及负载）正阻所消耗的功率，电路即能起振并持续振荡。由于负阻器件本身的非线性特性，负阻的数值随着振荡幅度的增大而变化：对于电流控制型负阻器件，它将变小：而对于电压控制型负阻器件，它将变大。两者都会使负阻供给的功率逐渐减小，直到与正阻所消耗的功率相等，使振荡幅度趋于稳定。
负阻振荡器在通信设备和电子仪器中用作信号源，常用于频率比较高的场合。
60年代以来，陆续发明了不少新型的固态负阻器件和据此构成的负阻振荡器。在微波频段,除了上述的隧道二极管振荡器外，最主要的有雪崩渡越时间二极管振荡器和转移电子器件振荡器。它们与微波真空电子器件(反射速调管、磁控管、返波管等)振荡器比较,具有耗电少、直流供电电压低、结构简单、体积小、成本低等优点，缺点是输出功率较小，耐核辐射能力差。
负阻器件的伏安特性曲线如图1a。在特性曲线的ɑ～b区段内，当电压增大时电流反而减小，即电压增量墹u=u2-u1是正值时，电流增量墹i=i2-i1是负值,所以在这一区段内负阻器件的动态电阻R为负值，即
R＝墹u/墹i＝－|墹u|/|墹i|
负阻不但不消耗交流功率，而且还向与它相连接的外电路供给交流功率。
负阻器件有两类。①电压控制型：其特点是电流为电压的单值函数，而电压却不是电流的单值函数。这种器件的伏安特性曲线形状如字母N（图1a），故又称N型负阻,隧道二极管等具有这种特性。②电流控制型:其特点是电压为电流的单值函数,而电流却不是电压的单值函数，其伏安特性曲线的形状如字母S（图1b），故又称S型负阻，双基极二极管等具有这种特性。
负阻器件与谐振回路连接的方式有二。一为电流控制型负阻器件与串联谐振回路相连接,如图2的双基极二极管负阻振荡电路。一为电压控制型负阻器件与并联谐振回路相连接,如图3的隧道二极管负阻振荡电路。
在负阻振荡器中，只要负阻所提供的功率大于外电路（谐振回路及负载）正阻所消耗的功率，电路即能起振并持续振荡。由于负阻器件本身的非线性特性，负阻的数值随着振荡幅度的增大而变化：对于电流控制型负阻器件，它将变小：而对于电压控制型负阻器件，它将变大。两者都会使负阻供给的功率逐渐减小，直到与正阻所消耗的功率相等，使振荡幅度趋于稳定。
负阻振荡器在通信设备和电子仪器中用作信号源，常用于频率比较高的场合。
60年代以来，陆续发明了不少新型的固态负阻器件和据此构成的负阻振荡器。在微波频段,除了上述的隧道二极管振荡器外，最主要的有雪崩渡越时间二极管振荡器和转移电子器件振荡器。它们与微波真空电子器件(反射速调管、磁控管、返波管等)振荡器比较,具有耗电少、直流供电电压低、结构简单、体积小、成本低等优点，缺点是输出功率较小，耐核辐射能力差。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。