1) X ray double crystal analysis
X光双晶衍射
1.
Analysing the results from the film, many important information is obtained: The quality of Ge films grown directly on Si is better than the implanted film according to TEM, X ray double crystal analysis and Hall measurement.
利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的 p n结特性做了分析比较 ,得到的结论是 :Ge膜的单晶质量、电特性都比较好 ,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜 ;但 p n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的 。
2) Double crystal X ray diffraction
双晶X衍射
3) X-ray double crystal diffraction
X射线双晶衍射
1.
Analysis of RTD structure is made with X-ray double crystal diffraction.
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析。
2.
High quality InGaAs/GaAs quantum well (QW ) structure grown by molecular beam epitaxy (MBE) is characterized by X-ray double crystal diffraction.
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。
3.
Analysis of DBR structure is made with X-ray double crystal diffraction.
利用X射线双晶衍射方法,测定了分布布拉格反射镜(DBR)的衍射回摆曲线,除了DBR主衍射峰("0"级衍射峰)外,还观察到"1"级和"2"级卫星峰。
4) DCXRD
X射线双晶衍射
1.
Elaborate Control of RTD s Nanometer Thin Layers & DCXRD Analysis;
RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量
5) Double crystal X-ray diffraction
双晶X射线衍射
1.
(2) Investigation on microstructures of Mn doped Si thin films and Fe doped Si thin films by double crystal X-ray diffraction(DCXRD)DCXRD is used to study the microstructures of Mn doped Si thin films and Fe doped Si thin films annealed at different temperatures.
(2)用双晶X射线衍射(DCXRD)研究Mn掺杂和Fe掺杂硅薄膜微结构双晶XRD被用来研究Mn掺杂和Fe掺杂Si薄膜微结构。
6) double crystal X-ray diffraction
X射线双晶衍射
1.
Properties of GaN layers were investigated by double crystal X-ray diffraction,optical microscope and ECV measurements.
用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征。
2.
The effect of Si-doping on the characteristics of AlGalnP/GalnP multiple quantum wells was studied by using double crystal X-ray diffraction and photoluminescence.
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。
3.
Properties of some GaN and GaN:Mg films with different blue luminescence relative intensity were investigated by Rutherford backscattermg/channeling measurement, double crystal X-ray diffraction measurement, photoluminescence technique, respectively.
采用卢瑟福背散射/沟道技术, X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试。
补充资料：X射线双晶衍射
X射线双晶衍射
X--ray double一erystal diffrae-tiofl
进行的，所记录的衍射曲线叫作摇摆曲线。摇摆曲线的半高宽(FWHM)是和晶体的完整性密切相关的。晶体的完整性越高，半高宽就越小，反之则越大，这就是测量晶体完整性的依据。对于高完整性晶体硅(Si)，其(333)衍射的半高宽只有2’’左右(对于CuKa辐射)，对于砷化稼(GaAs)的(400)衍射有10，，左右，对于完整性较差的晶体，如蓝宝石可达40，，以上。而对于镶嵌晶体，如氟化钙还要大。 X射线双晶衍射的理论计算主要有运动学理论和动力学理论。运动学理论是经典理论，以布喇格的衍射理论为基础，其计算简单，物理图象清楚，仍普遍采用。它可以根据布喇格方程方便地计算出异质外延的晶格失配和组分，以及超晶格的结构参数。 动力学理论是以高木(S atio tagagi)方程为基础，在双光束近似的情况下，把X射线在晶体中的波场用布洛赫函数表示，从而导出一个向量偏微分方程。目前这个方程只有近似解，经计算模拟可以解出所需要的各种参数，它的计算比较繁琐，物理图象也不如运动学理论清楚。但是更易接近实验曲线，适用范围更宽。 (王玉田)X射线双晶衍射x--ray doubxe一erystal diffrae-tion利用单色化、平行化的X射线对晶体进行结构分析的一种高精度测量方法。 目前X射线源有两种:高压电子束激发的X射线源和同步辐射X射线源。二者均为多色光，其波长比紫外线还要短，且不带电，因而不可能利用一般的光学透镜或电磁透镜的聚焦方法改变光路，或以透镜滤光方法实现其单色化。 根据晶体对X射线衍射的布喇格方程 Zdh、，sins=刀凡式中流kl为晶体晶面(h寿l)的间距。夕为衍射角，刀为自然数，几为X射线波长。对于一个晶体，在一个特定的衍射角夕，将会出现一个特定波长几的X射线束。如果我们对此束X射线配置适当的狭缝，就会实现X射线的单色化和平行化。以此射线入射到待测晶体上，就构成了一个双晶衍射系统。根据不同的光源和需要，可以设计出各种各样的双晶衍射系统，还可以设计出三晶、四晶、五晶等系统。经过单色化的X射线并不是完全单色的，不仅X射线的特征辐射本身存在一个本征宽度，而且还会有刀儿的谐波存在(强度很弱)。 特点20世纪20年代X射线双晶衍射业已问世，但由于当时的晶体完整性较差，不可能获得高单色性、高平行度的X射线，也由于当时的科学技术水平限制，不可能进行高精度测量。50年代，高完整性的半导体单晶体出现以后，随着新型半导体器件发展的需要，X射线双晶衍射技术和理论有了新的发展，成为半导体材料和器件研究的重要测试方法。
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参考词条