1) aluminum infiltrated silicon carbide
铝渗碳化硅
1.
In this paper, finite element software ANSYS is used to simulate the thermal conductivity and pressureless infiltration technique is used to produce aluminum infiltrated silicon carbide composite with high volume fraction of SiC.
铝渗碳化硅复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能，在电子封装领域具有广阔的应用前景。
2) SiC_p/Al
碳化硅/铝
3) AlSiC
铝碳化硅
1.
AlSiC Metal Matrix Composites and Its Application in Microelectronics Packaging;
电子封装中的铝碳化硅及其应用
4) melt_infiltrated silicon carbide
渗硅碳化硅
1.
The structure and mechanical pro_ perties of pure carbon melt_infiltrated silicon carbide (PCRBSC) were investigated.
研究了全碳粉反应渗硅碳化硅 (PCRBSC)材料的结构与力学性能的关系 ,分析了渗硅碳化硅材料中游离硅、游离碳含量对抗弯强度的影响 。
5) IC silicon carbide
渗碳碳化硅
6) Al 2O 3 SiC C brick
铝碳化硅碳砖
1.
The static corrosion experiments of Al 2O 3 SiC C bricks have been carried out with three different dephosphorized slags or desulfuration slags,and the microstructure after slag corrosion have been analyzed,and the wreck mechanisms have been discussed.
为探讨脱硫、磷剂对耐火材料的影响，本文对不同脱硫、磷剂侵蚀Ａｌ２Ｏ３ＳｉＣＣ砖后的残砖的显微结构进行了分析，探讨了铝碳化硅碳砖的侵蚀原因。
补充资料：碳化硅晶须补强碳化硅陶瓷基复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用，获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用，获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条