补充资料：稀土石榴石单晶薄膜磁光材料

分子式：
CAS号：

性质：用外延生长法在常用衬底Gd₃Ga₅O₁₂单晶(111)晶面上生成稀土石榴石单晶薄膜材料。恒温5～30min，可得薄膜2～30μm。利用生长工艺参数的变化可制取不同组成和性能的磁光薄膜材料。

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