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1)  Groove segments
槽型单元
2)  unit electrolyzer
单元槽
1.
In view of the abnormal states shown during the running of 40 kt/a lower-current-density bipolar type natural circulation unit electrolyzer in Jiangsu Beifang Chlor Alkali Group Co.
针对江苏北方氯碱集团有限公司4万t/a低电流密度复极式自然循环单元槽运行中表现出来的异常情况,提出从电解槽的淡盐水循环量、盐酸稀释系统、氯气压力和氯氢压差、工艺及操作规程等方面改进工艺技术控制。
2.
According to the inner structure of electrolyzers,the relation between electrode voltage and the running situation of unit electrolyzers was discussed through analyzing the relation among the voltage,electric current and resistance in unit electrolyzer.
从电解槽内部结构入手 ,通过单元槽内电压、电流、电阻三者之间的变化关系解释了极片电压与单元槽运行状况的关系。
3)  chase unit
凹槽单元
4)  cell [英][sel]  [美][sɛl]
单元槽
5)  DD bipolar membrane element
DD型复极离子膜单元槽
1.
Service technique of DD bipolar membrane element;
DD型复极离子膜单元槽检修技术
6)  Voltage of Unit Tank
单元槽电压
补充资料:V型槽金属-氧化物-半导体集成电路
      在硅片表面上刻蚀出V型凹槽,并利用双扩散或外延生长等工艺在槽内制作的MOS集成电路,称为 VMOS电路。
  
  基本原理  有些化学试剂对硅单晶的不同晶面有不同的腐蚀速率,即各向异性的腐蚀特性。使用某些专门的腐蚀液,如N2H4和H2O各占50%的溶液、18克分子浓度的KOH等,对硅的腐蚀速率为[100]>[110]>[111],[100]晶面的腐蚀速率几乎是[111]晶面的100倍。使用SiO2作为腐蚀掩模,可以在[100]晶面的硅片上腐蚀出由四个会聚的[111]晶面组成的孔,形状如同倒置的金字塔。腐蚀深度与氧化层开口宽度之比为 0.707,每一个腐蚀出的[111]面与硅片表面成54.74°角。使用另外的腐蚀液,对不同电阻率的硅有不同腐蚀速率,可使腐蚀前沿成为截顶的倒置金字塔形的腐蚀坑。前者腐蚀坑的剖面为 V形槽,后者则为U形槽。
  
  结构  经过外延生长、双扩散或离子注入等工艺加工的硅片,经过腐蚀可制成VMOS或UMOS场效应晶体管,其结构如下图。N+硅衬底上的N-层是靠外延生长得到的。P型层和N+层用双扩散法或离子注入法获得。其他栅极和氧化层的制做与常规MOS工艺相同。这种MOS晶体管的沟道是口字形,位于P型区的倾斜表面上。V型(或U型)槽有一定倾角,所以沟道长度约为P型层厚度的1.5倍。在沟道与漏之间设置N-外延层,是为了增加击穿电压并减少输出电容。
  
  
  
  
  
  应用和发展  VMOS电路的优点是利用立体结构提高集成密度,获得自对准(由扩散层深度而不是由光刻分辨率决定)的短沟道结构,可用于高密度大规模集成电路。它能与E/D NMOS或 DMOS电路(见双扩散金属-氧化物-半导体集成电路)技术兼容。但是,这种工艺比较复杂,[111]晶面沟道的电子迁移率低,除少数高密度的只读存储器产品外,对其他产品尚未推广应用。另一方面,VMOS晶体管由于沟道短,宽长比可以做得很大,没有二次击穿效应,而且可用于多数载流子器件的抗辐射方面,在作为高频大功率有源器件方面有重要进展。设计的主要问题是既要有低的导通电阻,又要有高的击穿电压。对于VMOS结构高频功率管,通过选择合适的外延层(电阻率和厚度)、采用多 V型槽并联、加离子注入保护环和台面结构等方法可以解决这一问题。采用UMOS结构可使槽底平坦,减少电场集中效应,能提高击穿电压。同时,在栅极加正电压时,栅漏覆盖区变为累积层,也有利于扩展电阻的减小。击穿电压高达几百伏的VMOS晶体管已经研制成功。
  

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